复合多晶硅栅msfet直流与交流特性模拟研究.pdfVIP

摘要 摘要 近十年来，随着射频集成电路的研究得到了巨大的发展，在无线通信、医 疗、遥感、全球定位和射频识别等领域得到广泛应用，电路的工作频率也迅速提 升，对半导体器件频率特性的要求愈来愈高。近年不断有报道指出，SiGe、SiC 等半导体材料或者 SOI 等新结构制作成的 MOSFET 能达到上百 G 的频率，在高 频、高温、大功率领域显示出一定的优势，但是这些技术必须建立在先进、复杂 工艺制造的基础上，限制了它们的普遍应用。 目前，硅基 CMOS 工艺技术仍是微电子的主流。本文介绍的复合多晶硅栅 （ Single Material Double Workfunction Gate,SMDWG) ）LDD MOSFET 采用纯硅 基材料，通过对栅的设计，得到性能优异的新结构射频 MOSFET 。所设计的栅 有 S-gate 和 D-gate 两块并列组成，S-gate 用高功函数 p 多晶硅，D-gate 用低功函 数 n 多晶硅。靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压，表面电势的阶梯式分布 屏蔽了漏端电势的影响，电场沿沟道有一个峰值，载流子呈现更大的平均漂移速 度，其结果提高了驱动电流、跨导和截止频率。 论文首先对 MOS 场效应管的背景进行了介绍，分析了器件特征尺寸的减小 带来的挑战和器件结构的改进等等，其次介绍了复合多晶硅栅 LDD MOSFET 的 结构设计和工艺流程，并用 Suprem 软件仿真出 SMDWG MOSFET 的工艺流程。 最后，运用 MEDICI 模拟软件分析了栅长、栅氧化层厚度和沟道掺杂浓度对器件 的直流与交流特性的影响，并与相同条件下普通单掺杂多晶硅栅 MOSFET 的频 率特性进行了比较。仿真结果发现，此结构很好的改善了 MOSFET 的性能，得 出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用，在射频领域有很 好的应用前景。 关键词：复合多晶硅栅；MEDICI ；SUPREM；输出特性；转移特性；阈值 电压；跨导特性；电容 I 复合多晶硅栅 MOSFET 直流与交流特性模拟研究 Abstract In the past decade, RF circuit research had developed greatly which widely applied in wireless communication, medical treatment, remote viewing, global positioning and radio frequency identification. The working frequency of circuit quickly raised, and the requirements of high frequency characteristics for semiconductor devices had become much highed. In recent years, it is unceasing reported that the frequency of the MOSFETs which are made up of semiconductor material such as SiGe, SiC or SOI new structure can reach some hundreds GHz ,and show certain advantages in high frequency, high temperature and high power field. But, these techniques must be b