复合栅多阶梯场板ldmos电学特性的研究.pdf

摘要 随着功率半导体技术和系统集成技术的不断发展，功率器件的研究也越来越 受到关注。MOS栅功率器件的产生，引发了功率集成电路的概念，即将功率器 件和逻辑控制电路集成在单一芯片上，从而满足市场对电子系统可靠性、功耗、 成本和尺寸等方面更加苛刻的要求。因为LDMOS具有很高的击穿电压和良好的 相兼容，生j。成本低。冈此，在不断涌现的各种功率器件中，这种器件在功率集 成电路和射频集成电路巾的应用特别受到重视。 功率器件刑‘功率集成电路的体积、重量、价格、效率、性能以及可靠性起到 至关重要的作用，因此有新技术不断被应用到LDMOS器件中，使其满足市场的 结构层出不穷，这给原本就非常复杂的LDMOS建模工作变得更句¨困难。然而一 日．器件结构发生改变，器件模型必须得到修正。特别是新结构器件有新效应产生 时，必须重新建立新模型，甭则难以对器件的电学特性作出良好的预测，并指导 集成电路设计。 本文通过剥目前能够应用于高压功率器件的技术进行分析，提出了一种复合 与标准CMOS工艺兼容，工艺复杂度增加不大，闽值电压的设计也更加容易。 此外，陔结构对小尺寸效应也有明显的抑制作用。 目前，针对上述特殊结构的LDMOS器件的物理机制研究较少，更不用说建 立电学特性的模型。因此，本论文的工作是建立复合棚多阶梯场极板RESURF LDMOS基于物理的电学特性解析模型，在模型的基础上分析出器件的物理机制 和优化设计方浊，能够在不依赖测试结果的情况下预测该器件的电学特性，为该 器件的设计服务，并为进一+步获得适用f电路仿真程序的器件模型提供理论基 特性的研究工作，主要包括： LDMOS电学性能的主要原因。仿真数据表明，复合栅功函数差引起的沟道阶梯 论，通过列写一维泊松方程，求解出含有LDMOS沟道杂质浓度梯度因子的表面 电场和表面电势分布函数，在考察该电场分布特点的基础j二，建立了复合栅 映复合栅主要结构参数(双功函数差和双栅长度比例)对闽值电压的影响，为复合 栅的优化设计提供依据，而且模型也说明复合栅结构在LDMOS中的应用可以有 效地抑制短沟道效应和DIBL效应。 及经典电流模型鼠接移植到复合栅LDMOS器件上产生的误差出发，指出沟道电 场峰值引起的载流子速度过冲是影响该器件电流特性的重要因素，提出了用扩展 的漂移一扩散方程来描述复合栅LDMOS电流特性的方法，并结合沟道泊松方程 给出其电流解析表达式。最后针对基于速度过冲模型，本文提出一个简单且直接 嵌入现有电路仿真程序的复合栅LDMOS电流特性模型。 压的减少作用，并用f击穿电压的建模。但是现有的研究中缺少计算电荷分享因 子的模型，都足用经验参数取而代之。这种经验参数缺少理论依据，适，『j应用范 围比较小。本文建立了基于保角映射的RESURF漂移区中拐角区域电荷分享因 子模型，应用到RESURF结构的击穿电压的计算中，并得到实验结果的验证。 最后，场极板是提高器件酬压性能的一科一常见终端技术，多阶梯场极板在单 阶梯场极板的基础1．可以进一步提高器件的耐压性能。本文建立了RESURF技 术和多阶梯场极板芙同作用的LDMOS漂移区表面电势和电场模型，并在准二维 的表面电场解析模型的基础L，对多阶梯场极板的K度设计进行优化。同时该模 型可以反映漂移区主要参数对击穿电压的影响，为建立多阶梯场极板LDMOS的 击穿电压模型提供了研究基础。 关键词：复合棚，多阶梯场极板，LDMOS，RESURF原理 Abstract Withthe of semiconductorsand developmentpower systems attentionhas tO devicesTheinventionof technology,increasingbeingpaidpower MOS—controlleddeviceshasintroducedthe of power conceptPICs(Power can more market on Circuits)whichsatisfy rigorous requirements