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第4章 微型计算机中的存储器 4.1 概述 4.2 内部存储器的组成 4.3 存储器的连接 4.4 外部存储器 4.1 概述 4.1.1 存储器的分类 4.1.2 存储器的主要性能指标 4.1.3 存储系统的层次结构：P66图4.1。 4.1.4 几种新型半导体存储器 4.1.1 存储器的分类 1. 按存储器与CPU的连接：内存和外存。 2. 按存储介质：半导体存储器、磁存储器。 3. 按存取方式：随机存储器、顺序存储器。 4. 按读/写功能：读/写存储器（RAM）、只读 存储器（ROM） 5. 按信息的可保存性：永久性存储器、易失性 存储器。 4.1.2 存储器的主要性能指标 1.存储容量 2. 速度 3. 价格 4. 其他：如可靠性、访问方式、信息存 储的永久性等。 4.2 内部存储器的组成 4.2.1 半导体存储器 4.2.2 8086的存储器 4.2.3 虚拟存储器的概念： 虚拟存储器是在主存—辅存层次上的进一步发展和完善，是指由主存—辅存物理结构、主存—辅存间信息调度的辅助硬件和操作系统的存储管理软件所组成的存储系统。 4.2.1 半导体存储器 1.半导体存储器的分类：按使用功能可分为RAM和ROM。 2.半导体存储器的结构：存储体、地址译码电路、读/写电路、控制电路。 3. 随机存储器RAM 4. 只读存储器ROM 3. 随机存储器RAM RAM的特点：其中的内容可根据需要随时写入和读出，但断电后所存内容随之消失。 MOS型RAM的的分类：静态RAM和动态RAM 常用的静态RAM芯片：2114、2142、6116和6264等。 常用的动态RAM芯片：MN4164。 常用的内存条：SIMM （单列直插）和DIMM（双列直插）内存条。 4. 只读存储器ROM ROM的特点：正常工作时只能读出不能写入，断电时其中内容不会丢失。 常用的几种ROM：2716EPROM，2732AEPROM。 掩膜型ROM：其中信息根据程序和数据对芯片进行二 次光刻制成，数量少时造价很高； 可编程ROM：一般由双极型电路组成，只能编程一次； 可擦除可编程的ROM：即EPROM。允许用户多次擦除 存于其中的信息，再存放新的 数据和信息。 电可擦除可编程的ROM：即E2PROM。是一种特殊的 可读写的存储器。 4.2.2 8086的存储器 1. 存储器的结构：可寻址范围1MB，地址编码范围为0000H~FFFFH。 2. 外部存储器寻址：地址线A0对低位存储体进行选择，总线高位允许信号 对高位存储体进行选择。 3. 存储器的段：将1MB的地址空间划分成若干个逻辑段，每段最长为64KB。 4. 实际地址的产生和计算：即物理地址。 5. 堆栈和堆栈操作：堆栈是存储器的一个特定区域。其长度最长为64KB。栈的位置由SS和SP规定。信息的存取在栈顶进行。 4.3 存储器的连接 在8086系统中，存储器不能直接与CPU相连。在最小模式中，地址信号要通过地址锁存器接向存储器；在最大模式中，除地址锁存外，还需通过总线收发器、总线控制器才能接向存储器。 4.3.1 存储器芯片的连接与扩展 4.3.2 存储器与CPU的连接 4.3.1 存储器芯片的连接与扩展 1. 存储器芯片位数的扩充 用位数不足的存储器芯片组成8位或16位的存储器可采用位并联的方法，即把若干个芯片并联在一起构成所需位数。方法是把各芯片的数据线分别接到数据总线的各位，而把地址线的相应位、各控制线并联在一起。具体见P77图4.8、4.9。 2. 存储器芯片地址的扩充 用容量较小的存储器芯片组成容量较大的存储器，采用地址串联法。即把若干块小容量的芯片接在一起构成所需的容量。每个芯片的地址需经地址译码器分配。常用的有2-4、3-8译码器。具体例子见P79图4.11。 4.3.2 存储器与CPU的连接 1. 8086CPU的最小模式与静态RAM的连接：见 P80图4.13。 2. ROM与8086CPU的连接：见P80图4.14。 3. 连接时需要注意的问题： 总线负载能力问题；