带本征薄层异质太阳能电池关键技术的研究.pdfVIP

摘要 带本征薄层异质结（HIT ）太阳能电池采用低温工艺制造，工艺简单，价格低廉， 且最高转换效率已达到22.3% 。与单晶硅太阳能电池相比，HIT 太阳能电池的温度稳 定性高，电池性能不随温度升高而衰减；与非晶硅太阳能电池相比，不存在光致衰 退效应，转换效率稳定，因此有着广阔的市场前景。 本文着重研究了HIT 太阳能电池非晶硅层的制备工艺，非晶硅/单晶硅异质结界 面钝化工艺，以及单晶硅衬底的表面腐蚀工艺，并对各工艺参数进行了优化，为获 得高性能的HIT 太阳能电池打下了基础。 HIT 太阳能电池的非晶硅层由等离子增强化学气相淀积（PECVD ）进行制备， 通过研究PECVD 的不同工艺参数对非晶硅薄膜的光学带隙、生长速率、电导率，以 及对 HIT 太阳能电池性能的影响，结合太阳能电池对非晶硅薄膜的要求，最终将制 备本征非晶硅层的衬底温度优化为200 ℃，放电功率优化为100W，本征层的厚度优 化为3.5nm；将N 型非晶硅层气体的气体流量比（PH /SiH 体积比）优化为0.015 ， 3 4 N 型层厚度的优化为21.6nm 。 非晶硅/单晶硅异质结的界面钝化通过用稀释氢氟酸预处理非晶硅层制备前的单 晶硅衬底来实现，为避免氢氟酸的过腐蚀，我们将预处理时间优化为60 秒，此时制 得的HIT 太阳能电池开路电压比界面钝化前提高了160mV，短路电流也有一个数量 级的提升。 对单晶硅衬底表面的各向异性腐蚀，同时实现了对硅片的减薄和对衬底的织构 化。采用氢氧化钾和异丙醇的混合溶液，在80℃对单晶硅衬底进行50 分钟的表面腐 蚀，可使硅片厚度减薄到HIT 太阳能电池所需的250µm ，并使绒面反射率降低到11.4 ％以下。 关键词：太阳能电池，HIT ，非晶硅薄膜，界面钝化，织构化，光学带隙 I Abstract HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer) solar cells are attracting more and more attention due to the high efficiency and a fairly simple process, which enable them to be the cost-effective alternatives for present c-Si and a-Si solar cells. In this paper, the fabrication technology of the a-Si layers in HIT solar cells, the passivation technology of the a-Si/c-Si interface, and the surface etching of the silicon substrate have been studied in details, in order to obtain high-efficiency HIT solar cells. The a-Si layers of the HIT solar cells were fabricated by PECVD. The optical band gap, deposition rate and conductivity of the amorphous silicon films prepred in different PECVD parameters have been measured and the effect of the parameters on the performance of the solar cells has been studied. The substrate temperature, RF power in the fabrication of the int