电工学 电子技术 作者 董传岱 _ 1.pptVIP

导电沟道的形成 场效应晶体管的导通 在UDS 一定和有导电沟道的前提下，栅极电压UGS变化，则导电沟道的宽窄发生变化，漏极电流ID亦随着相应发生变化，这就是栅源极间电压的控制作用。 N沟道增强型MOS 管特性曲线 转移特性曲线 漏极特性曲线 1．5．2 绝缘栅场效应晶体管的4种基本类型 N沟道耗尽型MOS 管结构 在UGS =0时就有导电沟道存在的MOS 管 在UDS为某定值时，耗尽型的MOS 管不论栅—源电压是正是负还是零，在一定范围内都能控制漏极电流ID 的大小。 符号 转移特性 漏极特性 符号 转移特性 漏极特性 1．5．3主要参数 （1）饱和漏极电流 （2）夹断电压 （3）开启电压 （4）直流输入电阻 （5）低频跨导 （6）漏源击穿电压 （7）栅源击穿电压 （8）最大允许耗散功率 当栅源之间的电压UGS =0，而漏源之间的电压UDS大于夹断电压时对应的漏极电流。 当UDS一定时，使沟道被夹断，ID减小到某一个微小电流时所需的UGS值。 当UDS一定时，使管子由不导通变成导通的临界栅—源电压UGS的值。 栅源之间加的电压与栅极电流之比。输入电阻一般大于1010Ω。 当 UDS一定时，ID与UGS的变化量之比 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。 使栅极电流由零开始剧增时的UGS 漏极耗散功率等于漏极电流与漏源之间电压的乘积，这部分功率将转化为热能。 1．5．4 场效应晶体管和晶体管的比较 （1） 场效应晶体管是电压控制元件而晶体管则是电流控制元件。 （2） 场效应晶体管是单极型晶体管而晶体管则是双极性晶体管。 （3） 场效应晶体管的噪声系数比晶体管小。 （4） 场效应晶体管的灵活性比晶体管更强。 （5） 场效应晶体管的输入电阻很高而晶体管的输入电阻较低。 （6） 场效应晶体管的制造工艺便于集成化。 电工学（电子技术） 第一章 半导体器件的基本知识 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 1．1半导体基本知识 1．2半导体二极管 1．3半导体晶体管 1．4 光电器件 1．5 绝缘栅型场效应晶体管 第一章 内容提要 1．1．1 本征半导体及其导电特性 本征半导体就是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 1．1半导体基本知识 在半导体中，同时存在着电子和空穴导电，这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。 1．1．2 N型半导体 在硅或锗的晶体中掺入五价元素 自由电子被称为多数载流子 空穴被称为少数载流子 1．1．3 P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入三价元素 空穴被称为多数载流子 自由电子被称为少数载流子 1．2．1 PN结的形成及单向导电特性 1．PN结的形成 相对稳定，动态平衡 耗尽层 阻挡层 1．2半导体二极管 2．PN结的单向导电性 PN结加正向电压 正向接法的PN 结为导通状态， 耗尽层变窄，呈现的电阻很低。 PN结加反向电压 反向电流很小， PN 结的反向电阻很高 1．2．2 二极管的基本结构 1．2．3 二极管的伏安特性 通常，硅管的死区电压约为0.5V ，锗管约为0.2V。 管子导通后，正向电流在较大范围内变化时， 管子的电压降变化很小，称为管子的导通压降， 硅管约为0.6V ，锗管约为0.3V。 而当外加反向电压过高时，超过U（BR）以后，反向电流将急剧增大，这种现象称为击穿，U（BR） 称为反向击穿电压。 1．2．4 二极管的主要参数 1．最大整流电流 2．最高反向工作电压 3．反向电流 指二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流。 击穿电压U（BR） 的一半定为UR 室温条件下，二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流值。 1．2．5 稳压二极管 稳压管反向击穿，电流变化很大，但稳压管两端的电压变化很小。 稳压管的主要参数 1．稳定电压 2．电压温度系数 3．动态电阻 4．稳定电流 5．最大允许耗散功率 UZ是稳压管在正常工作下管子两端的电压。 说明稳压值受温度变化影响的大小。 在反向击穿稳压区时，端电压的变化量与相应的电流变化量的比值 工作电流较大时稳压性能较好。 管子不致发生热击穿所允许的最大功率损耗 1．3．1晶体管的基本结构 晶体管的结构 晶体管也称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor．简称BJT） 1．3半导体晶体管 晶体管的结构示意图和符号 ①基区很薄，掺杂少；②发射区掺杂多；③集电结面积大。 1．3．2 晶体管的电流分配与放大原理 基极回路 集电极回路 发射极是公共端 外加电源的极