数字电子技术基础 作者 焦素敏 第08章.pptVIP

第8章 半导体存储器及可编程逻辑器件 8.1 随机存取存储器RAM 8.2 只读存储器ROM 8.3 可编程逻辑器件PLD 半导体存储器与可编程逻辑器件都属于大规模集成电路器件。半导体存储器因其存储容量大、速度快、体积小、成本低、可靠性高、省电等一系列优点而成为存储器中不可缺少的主导品种。可编程逻辑器件是一种可由使用者按一定方法自主设计其逻辑功能、从而实现复杂数字系统的新型集成器件。本章首先介绍随机存取存储器和只读存储器的电路结构、工作原理和扩展方法，然后简单介绍可编程逻辑器件的电路结构和工作原理。 8.1 随机存取存储器RAM 存储器（Memory）是用来存放信息的，根据存储器使用介质的不同，存储器可分为磁介质存储器、半导体介质存储器和光介质存储器。根据存储功能的不同，半导体存储器又分为随机存取存储器RAM（Random Access Memory）和只读存储器ROM（Read Only Memory）。 随机存取存储器RAM用于存放数据或指令，工作时能够随时在任意指定单元存入或取出数据，但断电后所存信息便会丢失，是易失性存储器。 RAM有双极型和MOS型两种。双极型RAM工作速度高，但制造工艺复杂，成本高，功耗大，集成度低，主要用于高速工作场合。MOS型RAM集成度高、功耗低、价格便宜，因而应用十分广泛。MOS型RAM按其工作方式不同又分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两类。 8.1.1 RAM的结构和工作原理 RAM的基本结构如图8.1所示，它由存储矩阵、地址译码器和读写控制电路三部分组成；进出RAM的信号线有3类：即地址线、数据线和控制线。 1.存储矩阵 存储矩阵由大量存储单元构成，通常排列成矩阵形式，每个存储单元存放1位二进制数据。存储器一般以字为单位组织内部结构，一个字含有若干个存储单元，存储单元的个数称为字长。字数和字长的乘积叫做存储器的容量。 RAM有多字1位和多字多位两种结构形式。在多字1位结构中，每个寄存器都只有1位，例如一个容量为1024×1位的RAM，就是一个有1024个1位寄存器的RAM。多字多位结构中，每个寄存器都有多位，例如一个容量为256×4位的RAM，就是一个有1024个存储单元的RAM，这些单元排成32行×32列的矩阵形式，如图8.2所示。 2.地址译码器 地址译码器用以决定访问哪个字单元，它将外部给出的地址进行译码，找到惟一对应的字单元。一般RAM都采用两级译码，即行译码器和列译码器。行、列译码器的输出即为行、列选择线，由它们共同确定欲选择的地址单元。 3.读写控制电路 读写控制电路对电路工作状态进行控制，一般包含片选和读写控制两种作用，片选信号(CS)用以决定芯片是否工作，当片选信号有效时，芯片被选中，RAM可以正常工作，否则芯片不工作。读写控制信号（R/W）用以决定对被选中的单元是读还是写，R/W为高电平时进行读操作，低电平时进行写操作。片选、读写控制电路如图8.3所示，读者可自行分析其工作原理。 8.1.2 RAM的存储元 1.六管静态存储单元 六管静态存储单元电路如图8.4所示。其中MOS管为NMOS，V1～V4组成的两个反相器交叉耦合构成一个基本RS触发器，用于存储一位二进制信息，V5、V6为门控管，由行译码器输出的字线Xi控制其导通或截止；V7、V8也是门控管，由列译码器输出Yj控制其导通或截止，也是数据写入或读出的控制电路。 读写操作时，Xi＝1，Yj＝1，V5、V6、V7、V8均导通，触发器的状态与位线上的数据一致。 采用六管NMOS静态存储单元的静态RAM有2114(1K×4位)、2128(2K×8位)等。 采用六管结构的还有CMOS静态RAM，常用的芯片有6116(2K×8位)、6264(8K×8位)、62256(32K×8位)等。 2.单管动态存储单元 动态RAM的存储单元有四管、三管、单管几种结构形式。下面主要对单管动态存储单元简略介绍。 单管动态存储单元电路如图8.5所示。MOS电容Cs用于存储二进制信息，若电容Cs充有足够的电荷，表示存储信息为1，否则为0。 8.1.3 RAM的扩展 1.位扩展 扩展的方法是，将各片RAM的地址线、片选线、读写线对应并接在一起，而使各片RAM的数据端各自独立，作为存储器字的各条位线。用8个1024×1位RAM构成的1024×8位的存储器如图8.6所示。 2.字扩展 当RAM芯片的位数能满足系统位数的要