传感器原理与应用技术 第2版 2010山东省精品课程教材 作者 刘爱华 满宝元 7-2.pptVIP

传感器原理与应用——第七章 1. 磁敏三极管的结构与工作原理 在弱P型或弱N型本征半导体上用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极。基区较长。基区结构类似磁敏二极管，有高复合速率的r区和本征I区。长基区分为运输基区和复合基区。 7.4.2 磁敏三极管的工作原理和主要特性 (a)结构 ( b)符号 b c e c N+ e H- H+ b I r N+ P+ 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 当磁敏三极管末受磁场作用时，由于基区宽度大于载流子有效扩散长度，大部分载流子通过e-I-b形成基极电流，少数载流子输入 到c极。因而形成基 极电流大于集电极 电流的情况，使β＜l。 工作原理: N+ N+ e P+ x I r b c y 当受到正向磁场(H+)作用时，由于磁场的作用，洛仑兹力使载流子偏向发射结的一侧，导致集电极电流显著下降，当反向磁场(H-)作用时，在H-的作用下，载流子向集电极一侧偏转，使集电汲电流增大。 N+ N+ e P+ x r b y c I N+ N+ e P+ x I r b c H- y 图7-25 磁敏三极管工作原理 N+ N+ e P+ x I r b c y H+ N+ N+ e P+ x I r b c H- y N+ N+ e P+ x r b y c I （a） (b) (c) 由此可知、磁敏三极管在正、反向磁场作用下，其集电极电流出现明显变化。这样就可以利用磁敏三极管来测量弱磁场、电流、转速、位移等物理量。 与普通晶体管的伏安特性曲线类似。由图可知，磁敏三极管的电流放大倍数小于1。 (1) 伏安特性 2. 磁敏三极管的主要特性 Ib=0 Ib=5mA 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 2 4 6 8 10 Uce/V Ic/mA Ib=4mA Ib=3mA Ib=2mA Ib=1mA Uce/V Ib=3mA,B=-1kG 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 2 4 6 8 10 Ic/mA Ib=3mA,B=0 Ib=3mA,B=1kG (1)为不受磁场作用时 (2)磁场为?1kGs 基极为3mA (2) 磁电特性 磁敏三极管的磁电特性是应用的基础，右图为 国产NPN型3BCM (锗)磁敏三极管 的磁电特性，在 弱磁场作用下， 曲线接近一条直线。 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 B/0.1T ΔIc/mA 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 图7-27 3BCM 磁敏三极管的磁电特性 (3) 温度特性及其补偿 磁敏三极管对温度比较敏感，使用时必须进行温度补偿。对于锗磁敏三极管如3ACM、3BCM，其磁灵敏度的温度系数为0.8％/0C；硅磁敏三极管(3CCM)磁灵敏度的温度系数为-0.6％/0C 。因此，实际使用时必须对磁敏三极管进行温度补偿。 具体补偿电路如图所示。 当温度升高时，V1管集 电极电流IC增加．导致 Vm管的集电极电流也增 加，从而补偿了Vm管因 温度升高而导致IC 的下降。 对于硅磁敏三极管因其具有负温度系数，可用正温度系数的普通硅三极管来补偿因温度而产生的集电极电流的漂移。 EC R1 μA mA V1 Vm Re R2 补偿电路(a) 利用锗磁敏二极管电流随温度升高而增加的特性，使其作为硅磁敏三极管的负载，从而当温度升高时，可补偿硅磁敏三极管的负温度漂移系数所引起的电流下降。 W Vm U0 EC 补偿电路( b) 传感器原理与应用——第七章