传感器应用技术 王倢婷第三章 3-2新.pptVIP

第三章 磁电传感器 第二节 霍尔传感器 一、霍尔效应 如图所示，一块N型半导体薄片（霍尔元件）位于磁感应强度为B的磁场中，B垂直于半导体薄片所在的平面。沿ab方向通以恒定电流I，半导体中的多数载流子——电子受到洛仑兹力FL的作用，向一侧面偏转，使该侧面积累电子而带负电，在相对侧面上因缺少电子而带有等量的正电荷，从而在半导体的两侧面上产生电势UH，称为霍尔电动势。这种现象就是霍尔效应。 二、霍尔元件 霍尔元件利用霍尔效应将被测量（如电流、磁场、位移及压力等）转换成电动势。 1.霍尔元件的结构 霍尔电动势的大小与材料的性质和尺寸有关，是一种四端型器件，按结构分为体型和薄膜型两种。 二、霍尔元件 2.霍尔元件的主要技术参数 1）输入电阻Rin 2）输出电阻Rout 3）额定控制电流IC 4）乘积灵敏度KH 5）不等位电势UM 6）磁灵敏度 7）霍尔电压温度系数β 二、霍尔元件 3.霍尔元件的选用 霍尔元件的基本选择原则如下： （1）磁场测量 对于精度要求高的磁场测量，一般选用灵敏度较高的砷化镓霍尔元件，其精度不低于±0.5%。 （2）电流测量 大部分霍尔元件可用于电流测量，如果精度要求高时，选用砷化镓霍尔元件；如果精度要求不高时，可选用硅、锗等霍尔元件。 二、霍尔元件 （3）转速和脉冲测量 测量转速和脉冲时，通常选用集成霍尔