LTPS工艺流程与技术.pptVIP

May 2003 PeakPerformanceT PCM LTPS工艺流程与技术 LTPSOLED 绝缘层选择 SiNx: 1.具有高的击穿电压特性 2.具备自氢化修补功能 3.与多晶硅的界面存在过多的缺陷和陷阱，易产生载流子捕获缺陷和 阈值电压漂移，可通过SiO2/SiNx克服 ELA (Excimer Laser Annel) Mechanism of ELA 晶化效果 氢化工艺 LTPS的主要设备 玻璃基板 沉积缓冲层\有源层 多晶硅晶化 P-Si刻蚀(mask1) P-Si刻蚀(mask1) 沟道掺杂(mask2) 沟道掺杂 N+ 掺杂(mask3) N+ 掺杂(mask3) GATE Insulator Gate层（mask4） Gate 刻蚀(干刻) Gate 刻蚀(干刻) LDD掺杂 Gate掩膜 P+ 掺杂(mask5) P+ 掺杂 ILD成膜与活化（氢化） Via1(mask6) 通孔刻蚀 通孔刻蚀 SD层(mask7) SD成膜 SD 干刻 Passivation层(mask8) Passivation层 平坦化层(mask9) 平坦化层 像素电极 电极刻蚀(mask10) 反射电极 电极刻蚀(mask10) 电极刻蚀(mask10) PDL/Spacer层(mask11/12)for OLED PDL/Spacer层(mask11/12) ITO1电极 PV2电极 ITO2电极 LCD工艺 OLED-CELL-MODULE process Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel BHF清洗 SD成膜 光刻 ECCP干刻 SD干刻 350℃ 40min Metal anneal 台阶覆盖性，腐蚀问题，接触电阻,hillock; PVD100/200 300/4000/700 ? Ti-纯Al-Ti SD成膜 材料 Remark 工艺条件 工艺 去胶 Metal anneal Power↓ Ar ↓ 成膜温度↓ Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel 清洗 SiNx成膜 光刻 ICP or RIE RIE均可实现 SiNx与Ti选择比 CVD200 3000? SiNx(mask9) 平坦化层 材料 Remark 工艺条件 工艺 去胶 有机膜(mask10) 平坦化层 Anneal后2.0um JSR PC405G 材料 Remark 工艺条件 工艺 清洗 涂布有机膜 光刻 Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel LTPS（TN） LTPS-OLED LTPS-IPS 清洗 ITO 反射电极 材料 Remark 工艺条件 工艺 Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel ITO镀膜 光刻 去胶 ITO 残留 CD loss ITO:草酸 ITO 反射电极 刻蚀 材料 Remark 工艺条件 工艺 退火 湿刻 Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel LTPS-TN array 完成 清洗 Ag镀膜 ITO:粗糙度与功函数,均匀性 ITO/Ag/ITO一次刻蚀 Ag: PVD400: 1000? ITO PVD400: 150? ( ITOAg ITO) 反射电极 材料 Remark 工艺条件 工艺 Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel ITO镀膜 ITO镀膜 光刻 去胶 ITO 残留 CD loss ITO:草酸 Ag:铝酸 ( ITOAg ITO) 反射电极 刻蚀 材料 Remark 工艺条件 工艺 退火 湿刻 Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel PI材料，用两张mask实现，后续考虑用half tone mask PDL层 spacer PDL层1.0-1.5um Spacer：1.5um PI 材料 Remark 工艺条件 工艺 Glass Driv