电工学 下册 电子技术 艾永乐等 第1章 常用半导体器件新.pptVIP

符号 光电传输系统 LED工作原理：发光二极管也具有单向导电性。当外加反向偏压，二极管截止不发光,当外加正向偏压，二极管导通，因流过正向电流而发光 1.3 特殊二极管 2. 发光二极管（LED) （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 1.3 特殊二极管 2. 光敏二极管 1.4 晶体管 1. 基本结构 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 1.4 晶体管 2. 电流分配与放大作用 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE)? vCE=const (b) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE ? 1V (a) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 （1）输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 1.4 晶体管 3. 特性曲线 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 IC＝βIB 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 　　特点：iB=0， iC= ICEO 1.4 晶体管 （2）输出特性曲线 1.4 晶体管 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const （1）电流放大系数 1.4 晶体管 4. 晶体管的主要参数 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 1.4 晶体管 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 1.4 晶体管 （2）极间反向电流 集电极-发射极穿透电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 1.4 晶体管 第1章 常用半导体器件 1.4 半导体的导电特性 1.1 1.2 1.3 1.5 半导体二极管 特殊二极管 晶体管 场效应晶体管 1.二极管的导电特性 重点： 难点： 2.三极管的特性和工作原理 3.场效应管的工作特性 半导体器件的特性和工作原理 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的特殊性能： 掺杂性 热敏性 光敏性 1.1 半导体的导电特性 硅晶体的空间排列 本征半导体——完全纯净的、不含杂质的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 1.本征半导体 1.1 半导体的导电特性 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 1.1 半导体的导电特性 两种载流子：电子和空穴 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 1.1 半导体的导电特性 两种载流子－本征激发、复合－动态平衡 1.1 半导体的导电特性 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）