数字电子技术 范立南 田丹 第9章 半导体存储器新.pptVIP

9.2 随机存取存储器 9.2.1 静态随机存取存储器 1．SRAM的基本存储电路 2．SRAM的读写过程 3．典型SRAM芯片 常用的SRAM芯片有2114(1K×4)、2142(1K×4)、6116(2K×8)、6232(4K×8)、6264(8K×8)、和62256(32K×8)等。 9.2.2 动态随机存取存储器(DRAM) 1．基本存储电路 9.3 存储器容量的扩展 采用多片ROM/RAM经扩展后组成容量更大的ROM/RAM存储以满足系统的需要。芯片数量的选择由系统要求的容量(M ×N)和单片容量(m ×n)来决定，其计算方法如下。 已知系统要求的内存容量为M× N(字长或位数)，现有单片ROM/RAM的容量为m(字数) n(字长或位数)。所需单片ROM/RAM的数量计算原则如下。 计算原则：M ≥m，N ≥n 根据字数计算所需单片数：M/m (取整数) 根据字长或位数计算所需单片数：N/n (取整数) 总片数 9.3.1 位扩展方式 若单片ROM/RAM的字数满足系统内存总的字数要求，而每个字的字长或位数不够用时，则采用位扩展方式。位扩展后的存储器字数没改变而位数增加，存储器容量相应增加。 9.3.2 字扩展方式 若每一片ROM/RAM的数据位数够，而字数不能满足系统内存总的字数要求，则采用字扩展方式。字扩展后的存储器数据位数或字长没有变，而