《低频电子电路_第1章》.ppt

简单分析： 依据二极管的直折线模型2 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 电路： 依据高等数学的泰勒级数，即 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 精确分析： 其中， 只与输入直流有关，可由下图来计算 近似分析： 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 其中， 是在直流基础上，因输入交 近似分析： 交流变化引起的。可由二极管特定区域小信号模型来计算。 最终结果： 1.4　半导体非线性电路的近似分析与 电路系统设计的关系 1 根据系统数学要求----构造电路模块结构----进行系统仿真 上述步骤应反复进行，已完成低成本、高质量的电路设计，其中仿真工具的使用是必需的。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 2 考虑各电路模块误差对系统结构影响----进行行为级仿真 3 完成各电路模块的具体电路构造----进行电路级仿真 4 对电路板布线----进行PCB版仿真设计 1.5　低频电子电路的学习 分析方法的选取往往与电路目标和分析误差要求有直 接的关系，同时单元电路的技术分析又涉及信号与系 统等课程的内容。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 注意掌握各种功能电路的基本原理及分析方法，注重 养成工程现实和理想相结合的观察问题习惯。以便理 解各种实用的电路构成方法和原则，以及电路的组合 和繁衍改进过程。 注意培养自己以系统的观点来理解功能单元电路的构 成，以及元器件与系统需求之间的关系，从而初步建 立用系统的观点来思考问题、解决问题的基本技巧和 思路。 * 需两个动画 * * * * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 内建电位差（电量描述）： 空间电荷区宽度（物理空间描述）： 注意：掺杂浓度(Na、Nd)越大，内建电位差 VB越大， 阻挡层宽度 l0 越小。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 1.2.2　有电压时PN 结的导电能力 PN 结的电阻特性 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 1.2.2　有电压时PN 结的导电能力 1 PN 结的电阻特性 P+ N 内建电场 E l0 + - V PN 结正偏 空间电荷区变薄 空间电荷区内建电场减弱 多子扩散 少子漂移 扩散形成较大的电流 PN 结导通 I 电压 V ? 电流 I ?? 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 PN 结——导电原理 扩散电荷被电源吸收和补充 P+ N 内建电场 E l0 - + V PN 结反偏 空间电荷区内建电场增强 少子漂移多子扩散 少子漂移形成微小的反向电流 IS PN 结接近截止 IR IS 与 V 近似无关。 温度 T ? 电流 IS?? 结论：PN 结具有单方向导电特性。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 阻挡层变宽 少子被电源吸收和补充 PN 结——伏安特性方程式（ PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： 热电压 ? 26 mV(室温) 其中： 　　IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 ） PN 结——伏安特性曲线（ -IS Si Ge VD(on) VD(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 VD(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A vj VD(on)时 随着vj ? 正向R 很小 ij ?? PN 结导通； vj VD(on)时 ij 很小(ij ? -IS) 反向R 很大 PN 结截止。 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 温度每升高 1℃， VD(on) 约减小 2.5 mV。 0 ） 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 |vj|? = V(BR)时， ? |ij|急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低(l0 较宽) 发生条件： 形成原因： 外加反向电压较大( 6 V) 时，载流子动能增大形成碰撞电离。 -V(BR) ij vj 形成原因： 外加反向电压较小( 6 V)，就能导致价电子场致激发。 发生条件： PN 结掺杂浓度较高(l0 较窄) 0 PN 结的击穿特性（ 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 ） 因为 T ? ? 载流子运动的平