algainp光激光器的特性模拟和工艺研究.pdfVIP

摘要 竺拦竺，竺登兰竺的特性模拟和工艺研气㈣螋 l。一一…。 学科名称：微电子学与固体电子学 研究生：林楠 签名：盘描 指导教师：林涛副教授 签名：衄 摘 要 大功率半导体激光器由于具有较高的输出功率和转换效率，已经被广泛应用于泵浦固 体激光器、激光加工、打印、光存储、光通讯以及激光医疗等领域。近年来，随着大功率 半导体激光器的应用越来越广泛，对其也提出了越来越高的要求。 本论文主要研究大功率AlGaInP红光氧化条形激光器的器件结构对其特性的影响。 波导层材料组分对半导体激光器特性的影响。模拟结果表明，当量子阱的厚度约为5nm， 应变大小为1％时，激光器的阈值电流最小，斜率效率最高；当波导层的厚度在80nm附近 中的Al组分逐渐增大时，阈值电流增大；而斜率效率在x为O．4时最小。 实验方面，采用闭管扩散Zn的方法在氧化条形激光器腔面附近制作了非吸收窗口， 减少光吸收，防止激光器过早出现光