aos tft定性分析及溶胶凝胶法制备aos材料的初步研究.pdfVIP

摘要 摘要 近年来颇受瞩目的非晶氧化物半导体(AOS)薄膜晶体管，相对传统的非晶 硅TFT和LTPS TFT，它的迁移率可达lOcm2／Vs，并且由于其本身就是非晶态的， 大面积均匀性好，具有良好的产业化前景。而溶液法制备的非晶氧化物TFT工 艺相对简单，成分易于控制，且不需要昂贵的真空设备，是一种良好的低成本 工艺。但是，器件的稳定性仍然是制约其应用的关键因素。 本文第二章对溅射法a—IGZOTFT的测试表明，其高达23．7cm2／Vs的场效应 迁移率，零伏左右的阈值电压，108量级的开关比满足了高分辨率大尺寸AMLCD 和AMOLED面板的驱动要求。另外，测试表明沟道长度一定范围的减小有利于改 善器件的电学特性，但是宽长比为100／51．tm无背沟保护层的器件在电应力实验 中性能明显衰退，且出现了明显的驼峰效应。驼峰效应严重影响了器件在亚阈 值区的特性，造成器件进入饱和的工作电流不稳定，可见沟长的减小是要受到 限制的。 本文的第三章从物理机制层面全面分析与讨论了AOSTFT的稳定性问题， 包括电应力、热应力、光应力以及环境气氛的作用，找出了影响稳定性的关键 因素。电应力