《发光材料与器件基础_第三章》.ppt

电信系光电工程专业 发光材料与器件基础 西安邮电学院电信系光电工程专业 第三章 光致发光过程及机理 3.1 光致发光过程 3.1 光致发光过程 * * 电信系光电工程专业 当外部光源如紫外光、可见光甚至激光照射到光致发光材料时，发光材料就会发射出如可见光、紫外光等，实际上光致发光材料的发光过程比较复杂，一般可以分为能量的吸收，辐射能量回到基态，能量传递等过程，即： （1） 基质晶格或激活剂（或称发光中心）吸收激活能。 （2） 基质晶格将吸收的激发能传递给激活剂。 （3）被激活的激活剂发出荧光而返回基态，同时伴随有部分 非发光跃迁，能量以热的形式散发。 电信系光电工程专业 A 激发 发射 非发光跃迁 荧光粉的光致发光过程 A 激活剂 S A 能量传递 激发 发射 能量从敏化剂向激活剂传递的发光过程 A 激活剂；S 敏化剂 3.2 位形坐标模型 位形坐标模型 位形坐标： 电子与晶格振动的总能量与离子平均位置的关系，采用简谐近似模型 电子与声子的相互作用 电子与声子的相互作用能，即晶格弛豫能为 晶格弛豫能所折合的声子数为 (黄昆因子) 位形坐标模型与吸收和光发射过程示意图 Ug(R)：电子处于基态时的系统能量 Ue(R)：电子处于激发态时的系统能量 U Ug(R) Ue(R) R R0 r0 A B C D F E v1 u0 v0 u1 ?R可表示电子与声子作用的强弱 弗兰克-康登(Franck-Condon)原理 Ug(R)：电子处于基态时的系统能量 Ue(R)：电子处于激发态时的系统能量 U Ug(R) Ue(R) R R0 r0 A B C D F E v1 u0 v0 u1 R0A: 光吸收过程； AB: 晶格弛豫过程， B的位置与晶格温度有关 BC: 光子发射过程； CR0: 晶格弛豫过程； 光吸收与光发射的Stokes频移 从激发到发射，电子经历两次与离子晶格的作用，发射声子散失能量，结果产生Stokes频移。 由于跃迁时间晶格弛豫时间，电子竖直跃迁 3.2 位形坐标模型 吸收光与发射光的谱线增宽 Ug(R)：电子处于基态时的系统能量 Ue(R)：电子处于激发态时的系统能量 Ue(R) U Ug(R) R R0 r0 A B C D F E v1 u0 v0 u1 吸收 发射 振动能级的基态与激发态的波函数 R v=0 v=n U R0 3.2 位形坐标模型 发射光谱的线型 Ug(R)：电子处于基态时的系统能量 Ue(R)：电子处于激发态时的系统能量 U Ug(R) Ue(R) R R0 r0 r A B C D F E v1 u0 v0 u1 r0、?0：·BC过程的发光频率 r 、? ：DE过程的发光频率 则发射光谱的半宽与激发态离子的位形差（?CEF） 另，B、D点振子出现的几率为 发光强度 高斯分布 3.2 位形坐标模型 吸收与发射光谱的温度关系 温度对吸收谱的影响： 温度升高，体系处于基态中较高振动能级u 结果：谱线进一步加宽； 谱线红移 U Ug(R) R R0 r0 A B C D F E v1 u0 v0 u1 Ug(R)：电子处于基态时的系统能量 Ue(R)：电子处于激发态时的系统能量 温度对发射谱的影响： 温度升高，体系处于激发态中较高振动能级v 结果：谱线进一步加宽； 谱线红移 强度减弱 ? 另 与实验结果一致！ 3.2 位形坐标模型 发射光谱的温度猝灭 Ug(R)：电子处于基态时的系统能量 Ue(R)：电子处于激发态时的系统能量 U Ug(R) Ue(R) R R0 r0 A B C D F E v1 u0 v0 u1 v=v 若温度升高，使体系处于激发态中振动能级v以上，激发态电子可无辐射地到达基态，再经晶格驰豫回到基态的平衡位置。 I ?E 温度猝灭的几率 ?E：猝灭激活能 发光强度与温度的关系 其中：I0---低温下的饱和发光强度 vR---辐射复合几率 3.2 位形坐标模型 3.3 发光的能带理论 晶体材料呈现一定规律的周期性，内部原子存在较强的相互作用，导致原子能级的变化，许多相近能级构成能带。某些无机物所以具有发光性能是与合成过程化合物（发光材料基质）晶格里产生的结构缺陷和杂质缺陷有关，这些缺陷局部地破坏了晶体内部的规则排列，从而形成缺陷能级。当外界光源照射时，电子就会在各种能级间跃迁，从而产生发光现象。 （1）由于发光材料基质的热歧化作用出现的结构缺陷所引起的发