应变硅纳米mo器件研究.pdfVIP

摘要 随着MOS器件进入纳米时代，等比例缩小带来的诸多物理、工艺方面的限制 极大地影响着MOS器件的性能。具有高载流子迁移率且与传统硅工艺兼容的应变 硅技术，已成为MOS集成电路延续摩尔定律的重要技术之一。 本文深入研究分析了应变硅的晶格结构、能带结构和载流子迁移率等基本物理 特性，同时介绍了纳米N／PMOS器件应力类型、双轴应变和单轴应变技术及主要 的应力引入方法，为后续研究工作奠定理论与技术基础。 基于纳米MOS器件存在的各种问题，本文重点研究了器件的源漏结构和其沟 道结构。源漏采用SDE结构抑制热载流子效应，沟道采用Halo结构和逆向掺杂结 构避免穿通效应。 厚度、施加在SiN膜的本征应力以及多晶硅栅的厚度对引入沟道的应力影响。然 后不但对影响应力大小和应力分布的参数做出了优化；而且为了减小短沟道效应 的各种影响，对于纳米器件提出的各种结构进行了仿真。最终得到了65nmNMOS 应变硅器件的优化结构参数。 关键词：应变硅纳米MOS器件TCAD电学性能 II ABSTRACT IIl