一种工作在亚阈条件下的低功耗九管sram单元的设计.pdfVIP

摘要 JIIIII III lUllI I ll I lll 1 摘要 Y257882 随着集成电路产业的迅猛发展，器件的尺寸正朝着纳米级阶段进一步缩小， 芯片单位面积上的功耗密度也越来越大，这使得功耗已从速度、面积、成本等众 多集成电路瓶颈中脱颖而出成为影响SOC芯片设计的关键因素。存储器占据了 SOC系统芯片面积的90％以上，而静态随机存取存储器SRAM又以其良好的特性 占据片上存储器的绝大部分。近年来，将系统供电电压降低到近阈值或亚阈值区 域能极大地降低芯片的功耗，这是亚阈值设计的中心思想。所以设计一款能工作 在近阈值或亚阈值区域的低功耗SRAM存储单元对于降低SOC芯片功耗具有重大 的意义。 本论文在调研了近年来国内外对低功耗SRAM研究现状的基础上，从减小 SRAM存储阵列基本单元的功耗入手，着力于解决当今SOC系统芯片对低功耗的 迫