一种型双掺杂多硅栅mosfet的研究.pdfVIP

摘要 摘要 DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件，它具有提高驱动电流，提高器 件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺陷，例如 关态电流和栅泄漏电流都比普通单栅MOS器件大很多，其跨导受到短沟道效应 而减小的趋势较为明显。所以针对上述问题，本文在复合栅结构的基础上提出了 一种新型器件DDPGPDMOSFET，该器件的创新之处在于近漏端沟道处加入了 P+掩埋层并且加厚了D．gate氧化层厚度。 本文首先从工艺角度着手，提出了实现DDPGPD的工艺步骤，特别是针对 栅的实现以及P+掩埋层加入和D—gate氧化层加厚这三个主要的工艺步骤给出了 详细的工艺流程和参数。使用工艺模拟软件TSUPREM设计了DDPGPD工艺制 作步骤，并将得到的结构文件导入Medici中进行电学特性模拟。 在比较器件性能时首先要建立统一的阈值电压，所以首先对DDPGPD的Kh 进行了分析。由于表电势最小值始终保持在S-gate下，因此S-gate浓度增加使 器件阈值电压增加；而D．gate浓度并不