适于saw器件aln硅”“aln金刚石”多层膜制备及结构性能研究.pdfVIP

摘要 近年来，移动通信迅猛发展，使无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。 因此它们需要更大的无线频谱宽度和向高频方向发展。声表面波器件正是以高频的特点 得到了国内研究人员的关注。AIN作为压电材料可以实现声信号和电信号之问的转变。 另外，A1N薄膜的最大优势就是其声速是在所有无机非铁电性压电材料中最快。因而成 为高频表面波和体波的首选材料。 本文采用射频反应磁控溅射的方法在硅衬底上沉积A1N薄膜。主要研究了溅射压 强、衬底温度、溅射功率等参数对薄膜结构性能的影响，进一步优化了沉积高C取向的 进行检测和分析。研究结果表明： 但是溅射功率过大，容易使靶材表面溶蚀，呈焦黑状。 (2)溅射压强过低，气体分子浓度过少会影响辉光放电，导致灭辉。溅射气压过 高，气体分子浓度过高，溅射粒子的迁移过程与气体分子发生过多的碰撞，这样既降低 了靶材原子的动能，又增加了靶材的散射损耗，同时溅射压强对薄膜择优取向也有很大 的影响。本文得到当压强为0．5Pa时，最适合(002)晶向的氮化铝生长。 (3)温度过低反应原子活性低，衬底温度越高，则氮原子与铝原子的活化反应越 充分，而且扩散速度也越大，从而影响氮化铝的薄膜取向和结晶特性。当温度达]!JJ400*C 时，沉积的氮