纳米尺度下光学近校正的预处理与后验证研究.pdfVIP

摘 要 作为超大规模集成电路制造中图形转移部分(Pattern 的65纳米和45纳米技术节点，因过于接近光刻成像系统的极限而使得实际刻出图形有 Enhancement 严重畸变，于是如分辨率增强技术(Resolution For 造性的设计辅助(Design 正(OpticalProximity 率辅助图形(Sub．Resolution 主图形周围加入辅助图形以改善光强对比度以及焦深。而另一个方面，热点检：澳lJ(Hotspot 的问题区域，从而帮助光学邻近校正配方进行修复和调整。 本文研究并提出了一种利用测试图形优化亚分辨率辅助图形配方的方法，该法将一维 参数与二维参数分步优化。与传统得到亚分辨率辅助图形配方方法比较，能较好地减少边 放置误差，改善工艺窗口，并减小配方的复杂度。通过65纳米工艺节点的实验，表明了该 种方法能够减小10％的边放置误差。同时工艺窗口有很好改善，未出现亚分辨率辅助图形 刻出的现象。 本文还实现了一种利用切分信息和支持向量机的热点检测方法。该方法用光学邻近校 正切分时候的信息加以特征提取。在支持向量机中进行训练后，能进行光学邻近校正后版 图的热点检测且无需定义热点类型。通过在4