铜互连哑元填充合算法研究.pdfVIP

摘要 摘要 今天的信息化社会和生活很大程度上归功于集成电路的伟大发展。集成电路 自诞生到如今单片集成上亿个晶体管，短短几十年的时间里其制造技术和设计方 法都发生了很大改变。集成电路的制造工艺节点已经从微米级别减小到纳米级别。 光刻和化学机械抛光等先进制造工艺都表现出对芯片版图图形的依赖，并分别造 成了电路元件横向和纵向尺寸的偏差。这些偏差最终影响到电路的性能和成品率。 工艺偏差和芯片可制造性已经成为制约集成电路性能和成品率的关键因素。 哑元填充是新一代设计方法学：可制造性设计和成品率驱动的设计方法中的 重要技术。针对铜互连和化学机械抛光工艺的哑元填充是其最重要的应用。通过 在原有版图中添加非功能性的金属线段，哑元填充可以改善芯片互连线层的材料 分布，从而减小互连线尺寸的制造偏差。哑元填充技术的核心工作是根据多种约 束条件确定具体版图位置上的哑元插入数量，即哑元综合。本论文的研究工作主 要针对哑元综合算法展开，主要贡献如下： 首先，提出了一种同时考虑版图图形密度、密度梯度和哑元填充量的哑元综 合问题，并没计了一种基于覆盖线性规划(CLP)及其快速算法的求解方法。版图 的密度梯度对芯片可制造