纳米尺度新结构os器件关键工艺技术研究.pdfVIP

摘 要 随着信息产业的飞速发展，对半导体集成电路的集成度要求越来越高，迫使场效 应晶体管的特征尺寸不断按比例缩小，这是就将面对严重的短沟道效应。围栅Si纳米 线器件结构具有最佳的栅控能力和优良的输运特性，被视为可以将MOS器件尺寸缩短 到极限尺寸的最理想的器件结构。 本文对纳米尺度MOS器件制备中的电子束曝光、硅的干法各向异性刻蚀、氧化反 应等关键工艺进行了系统研究。针对电子束曝光的邻近效应问题，通过优化版图设计， 完成了邻近效应的修正；在各向异性刻蚀中，通过改变工艺条件，得到了硅刻蚀深度 与横向线宽损失的比例，解决了光刻胶倒伏和硅的各项同性钻蚀现象；对于氧化反应 中的氧化延迟效应，采用了降低温度，减小初始线条尺寸等措施，解决了悬空纳米线 的尺寸、形貌、位置的不稳定性问题，成功制备出尺寸为8nm的硅纳米线。 关键词：硅纳米线电子束曝光刻蚀氧化 ABSTRACT Withthe the andrise circuit of information the ofthe