碳化硅器件的温特性及其关键工艺研究.pdf

摘要 摘 要 碳化硅具有优越的材料性能，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领 域有广阔的应用前景，是近年来国际半导体领域研究的热点之一。成熟的硅器件 通常只能在200℃结温以下工作，而对于SiC高温器件和集成电路来说，其工作温 度高，稳定工作的温度范围大，在高温条件下具有相当的优越性，因此，研究它 的温度特性具有重要意义。 首先，本课题从器件物理角度出发，建立了适合SiC器件工作机理的器件模 BJTs的重 型，通过引入温度系数研究了不同器件的温度特性。重点研究-j(1)SiC 要器件参数厄利电压的温度特性；(2)SiCMESFETs的亚阈值区域的温度特性；(3) 通过修正SiCMOSFETs补偿电流源模型研究了其高温特性。 主要内容如下：第一，考虑缓变基区4H．SiCBJT中四种载流子复合过程，并 计入温度的影响对其厄利电压进行分析。当其他参数不变的条件下，厄利电压VA 随NE增大而增大，随Nc增大而减小，随W增大而增大。温度升高，杂质离化率 的提高使集电结空间电荷区缩小，相应的准中性基区宽度增大，加强了基区宽度 调制作用，厄利电压降低。高温条