原位生长介质层is-hemt器件的研究.pdfVIP

摘要 摘要 GaN基HEMT器件在高频和高功率应用上展示了非常好的特性，但是 A1GaN／GaN异质结HEMT器件仍然存在栅泄漏电流较大和电流崩塌效应等问题。 为了有效的减小栅泄漏电流和抑制电流崩塌效应，本文重点研究了MIS．HEMT器 件。MIS．HEMT器件主要的问题是GaN与介质之间的界面态陷阱密度较高，限制 器件的介质材料以减小工艺步骤和界面态陷阱浓度，并取得了较为理想的结果。 本文首先完成了以原位生长的低温和高温AIN材料作为介质层的MIS．HEMT 器件的制作，并通过室温下对MIS．HEMT器件和常规HEMT器件特性的对比分析。 发现低温AIN介质材料的MIS．HEMT器件可以减小栅泄漏电流达两个数量级，击 穿电压也得到明显的提高；而高温AIN介质层的MIS．HEMT器件主要提高了击穿 电压，有效的抑制了电流崩塌特性，通过对其电学应力的测试发现，在开态应力 下主要是由于沟道导通电阻的增加导致器件性能的退化；而关态应力主要是由于 栅延迟效应的增强。 为了进一步提高高温AIN介质层的MIS．HEMT器件的性能，本文进一步对高 温A1N介质材料进行了氧化处理，在对氧化处理后的MIS．HEMT器件的性能