斜切衬底上alangan异质结材料及n型gan材料特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 GaN材料作为一种第三代半导体材料，具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和 高击穿场强等优点，目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、高频微波大功率 器件。迄今为止，人们一直无法获得高质量、大尺寸的GaN体晶材料，因此器件 级的GaN材料通常都是在异质衬底上外延得到的。由于GaN外延层和异质衬底 之间存在较大的晶格失配和热失配，GaN外延层中存在高密度的缺陷。高密度的 缺陷会严重影响器件的性能，因此低缺陷密度的GaN材料研究一直是GaN领域 的核心课题之一。另外，GaN材料毕竟是一种新型的半导体材料，许多与材料相 关的基础性问题仍然有待于人们进行进一步的研究。 本文研究了斜切蓝宝石衬底上A1GaN／GaN异质结材料的特性，通过采用斜 切衬底，A1Ga,N／GaN异质结材料的缺陷密度大幅降低，异质结材料的特性得到显 著改善。通过把斜切衬底和优化的材料生长工艺结合，本文最终研制出了高性能 HEMT器件和各 的A1GaN／GaN异质结材料。由于n型GaN材料在AIGaN／GaN 种光电器件中具有重要应用，本