半导体表面与MIS结构.ppt

第*页 2010年12月23日星期四 1.能带图和表面电荷 当栅压进一步增大时Vg 0 ，Vs进一步升高，表面处能带进一步向下弯，以至于出现:导带底离EF 比价带顶离EF 更近，即，在表面处的电子浓度已超过空穴浓度，即在表面处电子成为多子，表面附近的P型区变成了以电子导电为主的N型层，所以称其为反型层。 五、半导体表面反型的情形 表面反型(inversin)对应于： 衬底为P型材料构成的MOS结构(n-MOS)，Vg 0； 衬底为N型材料构成的MOS结构(p-MOS)，Vg 0； 以P型材料构成的n-MOS结构为例进行介绍。 第*页 2010年12月23日星期四 QM＝－Qsc＝－(Qn+ QD),其中QD＝qNAdsc 讨论： 反型条件： 弱反型条件：ns ? ps 即表面处电子浓度 ? 表面处空穴浓度 在这种情况下， 半导体表面空间电荷层 内的负电荷由两部分组成： 一部分是反型层中的电子， 一部分是耗尽层中的电离受主， 两者之和等于金属栅极表面正电荷 第*页 2010年12月23日星期四 从体内平带处知： 第*页 2010年12月23日星期四 强反型条件：ns ≥ p0 即：表面处电子浓度≥ 体内空穴浓度.弱反型时，表面处电子浓度虽然大于表面处空穴浓度，但和体内空穴浓度相比们仍然很低，这时反型层的电导不大； 当Vg增大到使Vs足够大，表面处的电子浓度增加到可以与体空穴浓度相比时，表面反型层对电导的贡献就大了，此时称为了强反型。 第*页 2010年12月23日星期四 第*页 2010年12月23日星期四 强反型后表面电荷的特点 — dsc达到最大值dscmax 反型后，金属栅极上带有正电荷QM ，半导体表面所带的等量负电荷Qsc由两部分组成：反型层的电子电荷Qn和空间耗尽层电荷QD ：QM = -Qsc =-(Qn+QD) 电子电荷Qn：主要依靠耗尽层中电子空穴对的产生。由于表面处的电子浓度随qVs的增大是指数增加的：强反型后，反型层中电子浓度随着能带的进一步弯曲将增加得十分迅速。 此时，Vg若进一步增大，Vs只会有微小的增加，就能产生了大量的电子来屏蔽栅上增加的正电荷，此时，增加的栅压主要由SiO2层承担，即Vi增大 第*页 2010年12月23日星期四 也就是说，强反型后，Vs基本上随栅压变化就非常小了，由于Vs不再增加，耗尽层厚度dsc也不再增宽dscmax，达到最大值了，耗尽层中的电荷量也达到最大值Qdmax 2.表面反型后的MOS电容 弱反型时的MOS电容 弱反型时，Cs中前一项的影响比较弱；主要靠QD 的变化来屏蔽QM的变化，即：在交流小信号～?Vg的作用下，耗尽层的厚度dsc在随之相应变化. 此时，随着直流偏压Vg的增加，QD增加，dsc增加，Cs减小，整个MOS电容C相应减小 第*页 2010年12月23日星期四 强反型后的MOS电容 1、反型层中的电荷变化与频率的关系 在积累层和耗尽层中，表面势Vs变化时，空间电荷的变化是通过多子空穴的流动实现的，从而实现电容效应。电荷变化的快慢由衬底的介电迟豫时间决定。非常短。 反型层中，特别是强反型后，表面电荷由Qn+QD决定。 QD是离化的受主电荷。 Qn则是少子电子电荷。 P型衬底中的电子是少子，由衬底流到表面的电子非常少。因此，反型层中电子数目主要依靠耗尽层中电子－空穴对的产生。 反型层中实现电子的积累是需要一个过程的。这个过程的驰予时间由非平衡载流子的寿命决定，一般比较长。 第*页 2010年12月23日星期四 2、测量的电压频率较低时 当直流偏置Vg达到了强反型区，则此时的空间耗尽层厚度dsc达到最大值dscmax，耗尽层电荷也达到最大值QDmax。 此时，若是加上交流小信号～?Vg，且频率较低时，由于Vs的变化很小，主要是Vi的变化承担，充、放电主要由金属栅上的正电荷和Si反型层中的少子电子数目Qn的变化实现，而耗尽层电荷QDmax几乎不变，故此时电容应该表现为氧化层电容Ci： 第*页 2010年12月23日星期四 如上所述， 金属极板上的正电荷QM和反型层中的电子数目Qn将随交流小信号栅压的改变而改变； 金属栅极板上的正电荷可以直接来源于电源正极； 反型层中电子数目的改变，只能靠空间电荷区中的产生-复合因为电源负极接的是P型半导体，电流的绝大部分是空穴流，电子流只是极小极小的一点，这部分空穴流必须完全转化为电子流提供给反型层的充、放电，这个转化过程就在耗尽层内通过载流子的产生-复合来完成这个转化过程需要