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11.2.2 逐次逼近型ADC 逐次逼近型ADC在进行模数转换时,要产生一系列比较电压uO,逐次和输入电压uI进行比较,以逐渐逼近的方式进行模数转换的。 这种ADC由顺序脉冲发生器、逐次逼近寄存器、DAC、比较器和控制逻辑等几部分组成,如图11.2.2所示。 11.2.2 逐次逼近型ADC 11.2.3 集成ADC简介 1. ADC0809 ADC0809是采用CMOS工艺制造8位8模拟量输入通道的逐次逼近型模数转换器。 片内具有锁存功能的8路模拟多路开关,8位逐次逼近式ADC、三态输出锁存缓冲器及地址锁存与译码电路组成。地址锁存与译码电路为8路模拟开关提供地址,从8路输入模拟电压信号中选择1路模拟量转换为8位数字量,送入三态输出锁存缓冲器输出。 11.2.3 集成ADC简介 2. ADC0809引脚功能 IN0~IN7:模拟量输入端 D7~D0:数字量输出端 A、B、C:地址选择线 ALE:地址锁存允许输入端 START:模数转换启动信号 EOC:模数转换结束信号 OE:输出允许控制端 CLK:时钟输入端 11.2.3 集成ADC简介 3. ADC0809应用 ADC0809与计算机的常用接口电路如图所示。 11.2.4 ADC的主要技术指标 1.转换精度 (1)分辨率 ADC的分辨率表示对输入量的微小变化的分辨能力。从理论上讲,在最大输入电压一定时,输出位数越多,量化单位越小,分辨率越高。 11.2.4 ADC的主要技术指标 (2)转换误差 转换误差表示实际输出的数字量与理想数字量的差别。 通常以输出数字量的最低有效位(LSB)的倍数表示,如± l/2 LSB,其含义是模数转换器实际输出数字量与理论上应得到的输出数字量之差的绝对值不大于最低位的l/2。 11.2.4 ADC的主要技术指标 2.转换速度 模数转换器的转换速度主要取决于电路的类型,不同类型的模数转换器,其转换速度相差很大。 并联比较型ADC转换速度最高,逐次比较型ADC次之,双积分型ADC转换速度最慢。 11.3 半导体存储器 11.3.1 半导体存储器概述 半导体存储器是一种能存储二值信息的大规模集成电路,主要用于电子计算机和某些数字系统中,可用来存放程序、数据、资料等。因此,存储器也就成了数字系统不可缺少的组成部分。 半导体存储器具有集成度高、体积小、可靠性高、外围电路简单且易于接口、便于自动化批量生产等特点。 11.3.1 半导体存储器概述 1.半导体存储器的分类 (1)按照制造工艺分类 双极型:工作速度快、功耗大、价格高 MOS型:集成度高、功耗小、工艺简单、价格低 (2)按照存取功能分类 随机存储器 (RAM) 只读存储器 (ROM) 11.3.1 半导体存储器概述 2.半导体存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储容量指存储器所能存放二值信息的多少,存储容量越大,说明它能存储的信息越多。 (2)存取时间 现在微机的工作速度已经越来越快,这就要求存储器的存取时间越来短,也就是存储器的工作速度越来越快。 11.3.2 随机存储器(RAM) 1.RAM的基本结构 存储器一般由存储矩阵、地址译码器和输入/输出控制电路3部分组成,如图所示。 11.3.2 随机存储器(RAM) 2.集成RAM存储器 (1)6264 6264是8K×8位的并行输入/输出SRAM芯片,采用28引脚塑料双列直插式封装。 13根地址引线(A0~A12)可寻址8K个存储地址,每个存储地址对应8个存储单元,通过8根双向输入/输出数据线(I/O0~I/O7)对数据进行并行存取。 11.3.2 随机存储器(RAM) 6264引脚功能分类: 地址线 数据线 读写控制线 片选线 输出控制线 电源线 11.3.2 随机存储器(RAM) (2)41256 41256是256K×1位的DRAM芯片。 由于DRAM集成度高,存储容量大,因此需要的地址引线就多。 DRAM一般都采用行、列地址分时输入芯片内部地址锁存器的方法,为减少芯片外部引线数量,从而外部地址线数量减少一半。 11.3.2 随机存储器(RAM) 41256引脚功能分类: 地址线 数据线 行列控制线 写控制线 电源线 11.3.3 只读存储器(ROM) 随机存储器具有易失性,掉电后所存数据丢失。而经常需要一种存储器掉电后数据不丢失,只读存储器具有这种性能。与RAM不同,ROM一般由专用装置写入数据,数据一旦写入便不能随意改写,断电后,数据也不会丢失。按存储内容存入方式,只读存储器可分为固定ROM和可编程ROM两种。可编程ROM又可分为一次可编程存储器PROM、光可擦除可编程存储器EPROM、电可擦除可编程存储器EEPROM等。 11.3.3 只读存储器
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