第一章第三节实际金属的晶体结构.pptVIP

第三节 实际金属的晶体结构 前面讨论的晶体是所谓的理想晶体，即原子或分子在空间呈绝对规则的排列。但实际上晶体的某些区域总是存在原子或分子的不规则排列，这便是晶体结构缺陷，以下简称晶体缺陷。 晶体缺陷对晶体的性能和物理化学变化（如强度、塑性、扩散、固态相变等）都有着重大的影响。 点缺陷 处于不断的运动、消失和形成过程中 可以 遇到周围空位 换位 迁移至晶体表面 消失 遇到间隙原子 消失 线缺陷 线缺陷就是各种类型的位错。它是指晶体中的原子发生了有规律的错排现象。其特点是原子发生错排的范围只在一维方向上很大，是一个直径为3～5个原子间距，长数百个原子间距以上的管状原子畸变区。 图1-33 刃型位错示意图 线缺陷 形成及定义（图1-35） ： 晶体在外加切应力?作用下，沿ABCD面滑移，图中EF线为已滑移区与未滑移区的分界处。由于位错线周围的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡面，故称为螺型位错。 在外力?作用下，两部分之间发生相对滑移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向（伯氏矢量b），这样的位错称为混合位错。如图1-38所示。 位错线上任意一点，经矢量分解后，可分解为刃位错和螺位错分量。晶体中位错线的形状可以是任意的，但位错线上各点的伯氏矢量相同，只是各点的刃型、螺型分量不同而已。 图1-38 螺型位错的柏氏矢量与其位错线相平行—螺位错的特征 1）位错线的连续性 位错线不可能中断于晶体内部。在晶体内部，位错线要么自成环状回路，要么与其它位错相交于节点，要么穿过晶体终止于晶界或晶体表面 2）位错密度：单位体积内位错线的总长度 ρ=L/V 式中 L为晶体长度，n为位错线数目，S晶体截面积。 一般退火金属晶体中?为106~108cm-2数量级，经剧烈冷加工的金属晶体中，?为1010~1012cm-2 面缺陷 晶粒内部位向差小于 1° 的亚结构，也称亚晶粒，亚晶之间的界面，称为亚晶界。通常由位错构成。 晶体结构可以看成由许多密排晶面按一定顺序堆垛而成 晶面堆垛顺序发生局部差错而产生的一种晶体缺陷称为堆垛层错 小结 晶体学缺陷的分类 空位：分类 位错：刃型位错 螺型位错 柏氏矢量 面缺陷陷：晶体表面 晶界 亚晶界 相界 作业 1、请列表说明典型金属晶体结构的原子数、配位数和致密度各为多少。 2、在立方晶胞中画出以下晶面 （231）（102）（110） 3、在立方晶胞中画出以下晶向 ［013］［111］ 4、刃型和螺型位错的重要特征有哪些？ 5、点缺陷的分类 6、面缺陷的分类 （2）大角度晶界 ─相邻晶粒的位向差大于10°的晶界。大约2~3个原子厚的薄层，原子排列较混乱，结构较复杂：由原子排列紊乱区域与原子排列较整齐区域交替相间而成。 　 2、晶 界 3、亚晶界 金属中的亚晶组织 亚晶界通常由位错构成。 亚晶界模型 4、堆垛层错 相界 晶界 5、相 界 不同结构的晶粒之间的界面 ★界面结构类型: 共格界面, 半共格, 非共格 共格界面: 界面上的原子同时位于两相晶格的结点上，为两种晶格所共有。 具有完整共格关系的相界 具有弹性畸变的共格相界 半共格相界 非共格相界 能量最低 能量最高 (1) 晶界有界面能，晶粒越细晶界越多，能量越高，越不稳定。为降低能量、减少晶界长度，晶粒有长大的趋势。(在一定的温度下) (2) 相变时新相晶核往往优先在界面上形成。 α γ 6 晶界特性 (3) 晶界内吸附现象 即杂质原子向晶界的偏聚。 (4) 晶界对材料的塑性变形起阻碍作用，晶粒越细，界面积越大，材料的强度越高。 ——晶界强化或细晶强化 (5)晶界由于有界面能，且低熔点杂质含量较高，故熔点低于晶内； (6)表面容易被腐蚀和氧化。 6 晶界特性 * * 多晶体结构 单晶体: 一块晶体材料，其内部的晶体位向完全一致时，即整个材料是一个晶体，这块晶体就称之为“单晶体”，实用材料中如半导体集成电路用的单晶硅、专门制造的晶须和其他一些供研究用的材料。 多晶体: 实际应用的工程材料中，哪怕是一块尺寸很小材料，绝大多数包含着许许多多的小晶体，每个小晶体的内部，晶格位向是均匀一致的，而各个小晶体之间，彼此的位向却不