13不同气氛退火对Zn离子注入SiO2 中Zn及ZnO纳米颗粒形成和演变影响.docVIP

不同气氛退火对Zn离子注入SiO2 中Zn及ZnO纳米颗粒的形成与演变的影响 申艳艳1李照东1，张大成1，何伟岩1，刘昌龙1, 2(， 1天津大学理学院物理系 天津 2天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室 天津 摘要： 关键词：Zn离子注入；SiO2玻璃基片； Zn纳米颗粒；ZnO纳米颗粒 1.引言 ZnO为直接带隙的宽禁带半导体材料，其禁带宽度为3.37 eV。激子结合能为60 meV，理论上可以在室温下实现紫外光的受激发射[1-3]。因此纳米ZnO被广泛应用于光电转化[4]、光催化[5]、以及气体传感器[6]等领域。另外，ZnO半导体材料还具有热稳定性好、抗辐射性能好、生物兼容性好以及成膜性能好等优点。正因为ZnO具有这么多方面优异的特性，它被认为是GaN的理想替代材料，并且在以光电为基础的通信和网络技术等高新技术中具有十分广阔的应用前景。因此针对ZnO制备、特性及应用的研究逐渐成为热点领域。目前，ZnO纳米颗粒的制备方法有多种，如均匀沉淀法、溶胶一凝胶法(sol—ge1) 、微乳液法、水热法 、激光气相沉积法离子注入法等。由于离子注入技术具有能够精确控制离子注入深度和浓度等独特的优点，在材料表面和近表面改性、半导体掺杂以及特殊功能材料合成诸多领域得到了广泛的应用。近年来，人们已通过离子注入及后退火的方法在SiO2 及Si3N4 等基底材料中制备了NiO、 Cu