热蒸发制备准一维氧化物纳米材料及其光致发光性能的研究.pdf

热蒸发制备准一维氧化物纳米材料及光致发光性能研究 摘 要 准一维纳米材料如纳米管、纳米线、纳米同轴电缆、纳米带等，由于其优 异的力、光、电、声、磁、热、储氢等特性，在各种纳米级的电子学、光电子 学、磁电子学和传感器件中有着广泛的应用前景，因而成为目前人们研究的焦 点。实现对准一维纳米材料的生长、成份、结构的可控制备，又是准一维纳米 材料应用的前提和基础。因此，本论文围绕准一维纳米材料的合成及其物性做 了一系列的研究，其主要研究结果如下： 1．三元氧化物SnGe03纳米带的合成、表征及发光性能研究 通过简单热蒸发的方法在Si衬底上成功合成出大量的三元氧化物SnGe03 仪(EDS)和光致发光谱(PL)等测试手段对所得产物的形貌、微观结构和光 学性能进行了研究。分析表明：这些纳米带的宽度比较均匀，一般在 在端部没有发现催化剂颗粒的存在，因而，我们认为该纳米带主要是通过气． 而强的紫外发光峰。 2．热蒸发法合成ZnGa204纳米结构及光致发光性能研究 的类似“卷帘门”状的纳米结构。用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、 形貌、微观结构和光学性能进行了研究。结果显示：这些纳米片遵循的是气． 固(VS)生长机制。室温下测得的PL经高斯拟合后可得到两个发光中心分别位 结构中的八面体Ga．O原子的自激发中心，而481nm处的蓝色发光峰可能是源 于一系列的氧空位、镓空位和镓氧空位对。 3．二氧化硅微米棒阵列的制备及发光性能研究 利用简单的热蒸发方法，在无任何催化剂条件下，通过气一固(VS)生长 机制在1150C下成功制备出非晶氧化硅微米棒阵列。利用扫描电镜(SEM)、 试手段对制得产物的形貌、微观结构和光学性能进行了研究。室温下所测得的 个紫外发光峰组成，其分别位于396nm，384nm和373nm处。 关键词：热蒸发；VS生长机制；纳米带；纳米片；阵列；光致发光 and synthesis Vapor--phase 一 一 Olofuasi-on‘one．dimensionalimenSlOIialanooXl{ile seitrpropertieseporpe0dixo—on．N Abstract 1 as Quasi．one．dimensional(QD)structures，such attentionfortheir nanobeltsand attractedconsiderable nanotubes，have potential in the ofnanoscale applicationsdevelopment and totheir devices，due strength，light， magnetoelectronicssensing superior andother electric，acoustic，magnetic，heat，hydrogenstorage ofresearchers theresearcho