新型照明显示器件用铝酸盐荧光粉地优化研究.pdfVIP

摘 要 体结构中的尖晶石层和镜面层，然后发生能量从基质晶格向 Eu2+离子的转移。两 种激发下的发射光谱范围都为 400nm~600nm ，发射峰值约为 450nm ，对应于激 发态的 5d 能级向 4f 能级的电子跃迁。 第四章探讨了首先通过一般的高温固相反应实现了 Si-N 在 BAM 荧光粉中 的少量掺杂，少量的掺杂不影响晶体结构，只是小幅降低了晶胞参数；Si-N 掺 杂后，不管是真空紫外激发，还是紫外-可见激发，BAM 的激发-发射峰形基本 没有变化，除了峰位发生少量红移；最有意义的一点是，少量掺杂后，不管是原 位荧光粉，还是高温热处理后的发光强度都得到了大幅度的提高。利用 XANES 图谱等发现，原位性能的提高是由于 Si-N 掺杂降低了发光离子周围的缺陷密度， 而热处理后稳定性能的提高则是因为 Si-N 掺杂稳定了 Eu2+离子。同时，我们发 现，利用一般的高温固相反应所能实现的 Si-N 掺杂量很小，如果用分子式 BaMgAl Si O N :Eu2+表示，获得最佳光学性能和稳定性能时的 x=0.03 ，认为 10-x x 17-x x 是由于热力学和动力学的影响，取代可能只是在表面发生，因而引入了高能球磨 工艺，希望借助于高能球磨工艺实现较大量的 Si-N 键掺杂。通过对起始粉料进 行高能球磨，实现了起始粉末的均匀非晶化，达到了原子级别的混合，从而将最 佳光学性能和稳定性能时的 x=0.25 ，说明高能球磨可以有效地提高固熔度，所得 荧光粉具有更好的长期稳定性。最后，通过理论计算，发现 Mg 更容易取代尖晶 石层中四面体位置的 Al ，而且分布在不同的尖晶石层中，而 Si 趋向于掺在导电 层旁边的四面体位置，而 N 则趋向于掺在与 Si 相连的尖晶石层边缘的位置。同 时发现，在最稳定取代情况下，金属离子和 N 之间的配位距离下降，说明取代 的 N 和金属离子间的键能增加，可以有效抑制金属离子在镜面层中的移动，进 而解释了少量的掺杂可以有效地稳定低价的 Eu2+离子。 第五章中通过高温固相反应合成 BaAl12O19:Mn2+ 。研究紫外-可见光谱发现， 2+ 4 6 2+ 样品的发射主峰位于 517nm，归属Mn 的 T →A 跃迁发射；而 Mn 的激发光 1 1 谱则由多个谱峰组成，其峰值各为 505nm，453nm ，427nm ，386nm，361nm， 6 4 4 6 4 4 6 4 4 4 6 和 280 nm，分别归属于 A → T ( G)， A1→ T ( G)， A → E, A ( G)， A → 1 1 2 1 1 1 4 4 6 4 4 6 4 4 2+ 2+ T ( D) ， A → E( D)和 A → A ( F) 的跃迁吸收。BHA 中 Mn 的发光与 Mn 2 1 1 2 所处晶体场有关：当其处于八面体场中时发红光，处于四面体场中时发绿光。 Mn2+在此只发绿光，由此可以推测 Mn2+ 处于四面体场中。在真空紫外波段， BaAl12O19 晶格可以有效地吸收能量，并转移给Mn2+ ，发射出明亮的绿光。 第六章与第四章一样，分别通过高能 球磨和固相反应法制备得到 BaAl Si O N :Mn2+荧光材料，高能球磨也可以有效地增加 Si-N 的取代浓度。 12-x x 19-x x 利用光谱研究了基质中 Mn2+ 的发光特性以及 Si-N 取代 Al-O 掺杂对其发光特性 的影响。BaAl Si O N :Mn2+样品的发射光谱为宽谱，最强发射峰位于 517nm，