掺杂氧化钒薄膜的相结构与光电性能研究.pdf

Classified Index: TN304 U.D.C: 537.311 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering RESEARCH ON DOPED VANADIUM OXIDE FILMS PHASE STRUCTURE AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES Candidate ： Wang Yinling Supervisor ： Prof. Zhao Liancheng Prof. Chen Xuekang Academic Degree Applied for ： Doctor of Engineering Speciality ： Information Functional Materials and Devices Affiliation ： School of Materials Science and Engineering Date of Defence ： July, 2012 Degree-Conferring-Institution ： Harbin Institute of Technology 摘 要 摘 要 氧化钒在室温左右随着温度的变化电阻值反应敏感，能够获得比较大的电 阻温度系数值（TCR ），其室温电阻值大约在几千到几十万欧姆之间，并且， 能够良好的匹配Si读出电路，因此，氧化钒可以满足微测辐射热计用敏感材料 的要求。但是，氧化钒含有高达十几种结晶相，各种结晶相的电阻值和电阻温 度系数区别较大，并且，制备工艺和后处理工艺对氧化钒薄膜的结构、光电性 能的影响较大。本论文是以在微测辐射热计中起关键作用的氧化钒红外敏感材 料为重点，通过研究VO x /p-Si 以及掺杂Al （或Mo ）的VO x /p-Si 的制备、物相 结构及其光电性能，以建立工艺条件与薄膜质量之间的联系，为氧化钒薄膜在 微测辐射热计中的应用建立实验和理论基础。 为了获得具有较大的电阻温度系数值的氧化钒薄膜，采用 248nm 波长的 KrF准分子激光激发单质V靶与氧气反应的脉冲激光沉积技术制备了高质量的 取向生长的VO x /p-Si薄膜；随着氧气压力的提高，脉冲激光沉积 （PLD ）氧化 钒薄膜的物相结构发生以下的变化，非晶态（0.008Pa ）→VO2 （0.08Pa ） →VO + V O （0.3Pa ） →VO + V O +V O （3Pa ） →VO + 2 3 7 2 3 7 6 13 2 V O +V O +V O （10Pa）；根据气体分子运动论模型，当靶材-衬底距离为 3 7 6 13 2 5 8cm时，PLD 能有效沉积氧化钒薄膜的临界氧气压力约为 0.08Pa ，当靶材-衬 底距离为 4.5cm 时，约为 0.15Pa ；PLD 沉积的VO 2 /p-Si薄膜均表现出较大的 TCR值，可以满足微测辐射热计用材料TCR值大于 2% 的要求。综合看来，衬 底温度 800℃、氧气压力 10Pa和靶衬距离4cm生长的VO 2 /p-Si薄膜室温电阻约 10KΩ，热滞效应最小，TCR值最大（4.59% ），性能最优。 为了降低VO x /p-Si薄膜的电阻值，利用 193 nm波长的ArF准分子激光激发 复合靶材—V O 靶，采用PLD结合真空退火的方法制备了V