砷化硼及其砷化铟团簇结构、稳定性与电子性质的理论的分析.pdfVIP

中文摘要 III-V 族低维半导体材料，在纳米光电子学、集成电路和纳米器件等方面有 着极为重要的作用。近几十年来，人们在 III-V 族半导体薄膜、超晶格、纳米管 和量子点的实验及理论研究中取得了巨大的进步，但截止目前，对于 III-V 族砷 化硼和砷化铟在 1~200 个原子范围内的研究却很有限。为此，文章采用密度泛 函理论(DFT) 对砷化硼以及砷化铟半导体团簇的几何结构、稳定性和电子性质 进行了研究。 首先，应用密度泛函理论的全电子方法优化得到了 B As (n=1-14) 团簇基态 n n 几何结构，并对其稳定性和电子性质做了系统分析。结果表明，当 n=4 时团簇 的基态由二维平面结构过渡到三维立体，当n 4 时团簇的基态随尺寸的增加而 形成以 B 原子与 As 原子交替排列的四元环和六元环为结构基元的笼状构型； 具有高对称的富勒笼状结构 B As 为最稳定团簇；能隙的取值范围显示 B As