我的课件--第四章化学气相沉积.ppt

化学气相沉积 目 录 化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 CVD 对原料、产物及反应类型的要求 反应物在室温下最好是气态，或在不太高温度就有相当的蒸汽压，且容易获得高纯品 能够形成所需要的材料沉积层，反应副产物均易挥发 沉积装置简单，操作方便。工艺上有良好的重现性，适于批量生产，成本低廉 原子/分子水平上化学合成材料－高度适应性和创新性 高纯度材料－基于CVD源可以通过气相过程得到高纯度 组成和结构可控性－制备工艺重现性 广泛的适应性与多用性 材料制备与器件制作的一致性 设备较简单、操作简易、易于实现自动控制 －热解反应 氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低，唯一副产物是没有腐蚀性的氢气。 金属有机化合物：金属的烷基化合物，其M-C键能一般小于C-C键能[E(M-C)＜E(C-C)]，可用于淀积金属膜。元素的烷氧基化合物，由于E(M－O)＞E(O－C)，所以可用来沉积氧化物。 氢化物和金属有机化合物体系，已成功地制备出多种化合物半导体 其它气态配合物和复合物这一类化合物中的羰基化物和羰基氯化物多用于贵金属(铂族)和其它过渡金属的沉积。 以金属有机化合物作为前驱物，前驱物经历分解或热解反应生成薄膜。适合制备单组分、多组分半导体材料、光电材料、氧化物、金属等薄膜材料。 特点： 沉积温度低，减小高温对衬底及薄膜表面的破坏。 缺点： 前驱物价格昂贵，合成、提纯过程困难。 多数前驱物为挥发性液体，采用水浴、油浴或气体鼓泡的方式供给，需要精确控制压强。 对前驱物的要求高（挥发性、稳定性、分解）。 SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) (1200°C) WF6(g) + 3H2(g) W(s) + 6HF(g) (300°C) MoF6(g)+ 3H2(g) Mo(s) + 6HF(g) (300°C) SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g) (1200°C) SiH4(g) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g) (450°C) 4PH3(g) + 5O2(g) 2P2O5(s) + 6H2(g) (450°C) SiCl4(g)+2H2(g)+O2 (g) SiO2(g)+4HCl(g) (1500°C) SiCl4(g)+ CH4(g) SiC(s)+ 4HCl(g) (1400°C) TiCl4(g)+ CH4(g) TiC(s)+ 4HCl(g) (1000°C) BF3(g) + NH3(g) BN(s) + 3HF(g) (110°C) 3SiCl2H2+4NH3(g) Si3N4 (s)+6H2(g)+6HCl(g) (750°C) 不受源的性质影响，适应性强. 300°C 2GeI2(g) Ge(s) + GeI4 (g) 600°C Ge, Al, B, Ga, In, Si, Ti, Zr, Be, Cr 的卤化物 上述气体介质叫做输运剂，所形成的气态化合物叫输运形式。 CVD化学反应过程 化学反应可在衬底表面或衬底表面以外的空间进行。 （1）反应气体向衬底表面扩散；（2）反应气体被吸附于衬底表面 （3）在表面进行化学反应、表面移动、成核及膜生长； （4）生成物从表面解吸；（5）生成物在表面扩散 在这些过程中反应最慢的一步决定了反应的沉积速率。 CVD化学反应原理的微观和宏观解释 （1）微观方面： 反应物分子在高温下由于获得较高的能量得到活化，内部的化学键松弛或断裂，促使新键生成从而形成新的物质。 （2）宏观方面： 一个反应能够进行，则其反应吉布斯自由能的变化（△G0）必为负值。可以发现，随着温度的升高，有关反应的△G0值是下降的，因此升温有利于反应的自发进行。并且对于同一生成物，采用不同的反应物，进行不同的化学反应其温度条件是不同的，因此选择合理的反应物是在低温下获得高质量涂层的关键。 提高Re，可以降低边界层的厚度，促进化学反应和提高