《百瓦级多芯片半导体激光器稳态热分析-论文》.pdfVIP

第43卷第 5期 红外与激光工程 2014年 5月 Vo1．43NO．5 InrfaredandLaserEngineering M av2014 百瓦级多芯片半导体激光器稳态热分析 王 文，高 欣，周泽鹏 ，许留洋，周 路，薄报学 (长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室，吉林 长春 130022) 摘 要：半导体激光器在各领域的广泛应用要求其输 出功率不断提高，使得多芯片集成封装大功率 半导体激光器的发展成为主流之一。针对典型的 l2只芯片以阶梯形式封装的百瓦级激光器，利用 ANSYS软件进行 了稳态热分析 ，模拟得 出芯片有源区温度及其热耦合温升与热沉结构尺寸变化的关 系曲线，分析 了该激光器热特性 ，进而提 出一种使芯片散热较好的热沉结构 。 关键词：百瓦级半导体激光器； ANSYS； 有源区； 热耦合 ； 热沉 中图分类号 ：TN248．4 文献标志码 ：A