第七章 晶体结构2.ppt

(3) 正四面体空隙（配位数为4） 第五节 离子晶体 面对角线两个负离子相切，体对角线的一半为正负离子间距离。 (4) 正三角形空隙（配位数为3） 第五节 离子晶体 2、配位多面体的极限半径比 配位多面体 配位数 半径比(r+/r-)min 平面三角形体 3 0.155 四面体 4 0.225 八面体 6 0.414 立方体 8 0.732 立方八面体 12 1.000 第五节 离子晶体 二、 结晶化学定律 哥希密特指出：“晶体的结构型式，取决于其组成晶体的原子、离子或原子团的数量关系、大小关系和极化作用的性质”。 典型晶体的实际结构多数符合上述定律，但当晶体中存在下列因素时，可能会使实际结构不符合上述规律：M—X间共价键的形成；M—M键的形成；配位场效应使离子配位多面体变形等因素。 第五节 离子晶体 (1) 数量关系 第五节 离子晶体 (2) 大小关系 (3) 极化作用 极化作用增强，键型由离子型向共价型过渡，配位数降低（共价键具有饱和性），正离子填入低配位数的空隙中。 第五节 离子晶体 三、ABn型二元离子晶体几种典型结构型式 (1) NaCl型（0.414→0.732） Pauling半径比 （有效半径比） Cl- 作A1型密堆积，Na+ 填充在正八面体空隙中。 Cl- 与 Na+ 的配位数均为 6。 Shannon半径比 第五节 离子晶体 属于立方面心点阵， 结构单元为一个NaCl a = 562.8 pm 空间群为： 分数坐标： Cl-: (0,0,0) (1/2,1/2,0) (1/2 ,0,1/2) (0,1/2,1/2) Na+: (0, 0,1/2) (1/2,0,0) (0,1/2,0) (1/2,1/2,1/2) LiH、LiF、LiCl、NaF、NaBr、NaI、CaO、CaS、BaS 等晶体都属于NaCl型。 （两种离子的坐标可以互换）。 第五节 离子晶体 (2) CsCl型（0.732→1.00） (有效半径比) Cl- 作简单立方堆积，Cs+ 填入正方体空隙。 配位比为8∶8。 Pauling半径比 Shannon半径比 第五节 离子晶体 Cl-: (0,0,0) Cs+: (1/2,1/2,1/2) CsBr, CsI, NH4Cl, NH4Br 等属CsCl型 属于简单立方点阵， 结构单元为一个CsCl 空间群为： 分数坐标： a = 411.0 pm （两种离子的坐标可以互换）。 第五节 离子晶体 (3) 立方ZnS（闪锌矿）和六方ZnS（纤锌矿） 若S2- 作A1型堆积，Zn2+ 填入四面体空隙中(有较强的极化作用)。 配位比为4:4。 (有效半径比) Pauling半径比 Shannon半径比 顶点及面心为S2-，四面体空隙位置为Zn2+。 ① 第五节 离子晶体 a = 540.6 pm S2- Zn2+ CdS, CuCl, AgI, SiC, BN 等属立方ZnS型晶体 属于立方面心点阵， 结构单元为一个ZnS 空间群为： 分数坐标： (两种离子的坐标可以互换。) 第五节 离子晶体 若S2- 作A3型堆积，Zn2+ 仍填入四面体空隙中。由A3型堆积其中, 球数：八面体空隙数：四面体空隙数 = 1∶1∶2的关系推知，有一半四面体空隙未被占据。 ② 可抽出六方晶胞，每个晶胞中有两个ZnS，一个结构基元为两个ZnS。 第五节 离子晶体 S2-： (0,0,0 ), (2/3,1/3,1/2) Zn2+：(0,0,5/8), (2/3,1/3,1/8) S2-： (0,0,0), (1/3,2/3,1/2) Zn2+：(0,0,3/8), (1/3,2/3,7/8) 空间群为： 分数坐标： 属于六方ZnS结构的化合物有Al、Ga、In的氮化物，一价铜的卤化物，Zn、Cd、Mn的硫化物、硒化物。 第五节 离子晶体 立方ZnS和六方ZnS是非常重要的两种晶体结构. 已投入使用的半导体除Si、Ge单晶为金刚石型结构外，III-V族和II-VI族的半导体晶体都是ZnS型，且以立方ZnS型为主.例如：GaP, GaAs, GaSb，InP, InAs, InSb, CdS, CdTe, HgTe 第五节 离子晶体 (4) CaF2型（萤石型）（0.732→1.00） F- 作简单立方堆积， Ca2+填入立方体空隙（占据分数50%），配位比为8∶4（F-的配位数为4，Ca2+的配位数为8）。 (有效半径比) Pauling半径比 Shannon半径比 第五节 离子