第八章 气相沉积技术1.pptVIP

第八章 气相沉积技术 8.1 物理气相沉积过程及特点 物理气相沉积（PVD）是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其电离成离子，直接沉积到基片（工件）表面形成固态薄膜的方法。 PVD主要包括蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜技术。 PVD的物理原理 8.1.1 物理气相沉积基本过程 所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体 生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底 蒸汽在衬底表面上凝结，形成薄膜 1、气相物质的产生 1）使镀料加热蒸发，沉积到基片上，称为蒸发镀膜；2）用具有一定能量的离子轰击靶材（镀料），从靶材上击出的镀料原子沉积到基片上，称为溅射镀膜。 2、气相物质的输送 气相物质的输送要求在真空中进行，这主要是为了避免与气体碰撞妨碍气相镀料到达基片。在高真空度的情况下，镀料原子很少与残余气体分子碰撞，基本上是从镀料源直线前进到达基片；在低真空度时，镀料原子会与残余气体分子发生碰撞而绕射，但只要不过于降低镀膜速度，还是允许的；若真空度过低，镀料原子频繁碰撞会相互凝聚为微粒，则镀膜过程无法进行。 3、气相物质在基片上的沉积是一个凝聚过程。根据凝聚条件的不同，可以形成非晶态膜、多晶膜或单晶膜。镀料原子在沉积时，还可能与其他活性气体分子发生化学反应而形成化合物膜，称为反应镀。在镀料原子凝聚成膜的过程中，也可以同时用具有一定能量的离子轰击膜层，目的是改变膜层的结构和性能，这种镀膜技术称为离子镀。 8.1.2 物理气相沉积的特点 1）镀膜材料来源广泛 2）沉积温度低 3）膜层附着力强：膜层厚度均匀而致密，膜层纯度高。 4）工艺过程易于控制：主要通过电参数控制。 5）真空条件下沉积：无有害气体排出，对环境无污染。 8.2 真空蒸发镀膜 真空蒸发镀膜简称蒸镀，在10-3~10-4Pa的真空条件下，用蒸发器加热镀膜材料，使其气化并向基片输送，在基片上冷凝形成固态薄膜的方法。相对后来发展起来的溅射镀膜及离子镀膜，其设备简单，沉积速度快，价格便宜，工艺容易掌握，可进行大规模生产。 8.2.1 蒸发镀膜基本原理 1、蒸发镀膜过程 镀料的蒸发过程是其液体或固态间的非平衡过程；镀料蒸气在真空中的迁移过程，则可看成气体分子的运动过程；而镀料在基片表面的凝聚过程，则是气体分子与固体表面碰撞、吸附和形核长大的过程。 2、成膜机理 真空蒸镀时，薄膜的生长有三种基本类型：核生长型、单层生长型和混合生长型。 核生长型薄膜的形成过程，认为可分以下五个步骤： 1）从蒸发源射出的蒸发粒子和基片碰撞，一部分产生反射和再蒸发，大部分在基片表面被吸附； 2）吸附原子在基片表面上发生表面扩散，沉积原子之间产生二维碰撞，形成原子簇团。 3）原子簇团和表面扩散原子相互碰撞，或吸附单原子，或放出单原子，这种过程反复进行，当原子数超过某一临界值时就变成稳定晶核。 4）稳定晶核通过捕获表面扩散原子或靠入射原子的直接碰撞而长大。 5）稳定晶核继续生长，和临近的稳定核合并，进而变成连续膜。 8.2.2 蒸发源 1、电阻加热蒸发源 将高熔点金属做成适当形状的蒸发源，其上装有镀料，接通电源后镀料蒸发，这便是电阻加热蒸发源。 电阻蒸发源的结构简单，成本低廉，操作方便，应用广泛。 电阻蒸发源材料的基本要求 高熔点，低蒸气压，不与镀料发生反应，具有一定的机械强度，易于加工成形。 2、电子束蒸发源 将镀料放入水冷铜坩埚中，用电子束直接轰击镀料表面使其蒸发，称为电子束蒸发源。 按电子束的轨迹不同，有直射式、环形枪和e型电子枪。 电子束加热蒸发源的优点是能量密度高，克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点，特别适合制备高熔点和高纯度的薄膜材料。 电子是由隐蔽在坩埚下面的热阴极发射出来的，这样可以避免阴极灯丝被坩埚中喷出的镀料液滴沾污而形成低熔点合金，这种合金容易使灯丝烧断。 8.2.3 合金膜和化合物膜的制备 1、合金膜的镀制 1）瞬间蒸发法：又称闪蒸法。是将合金做成粉末或者细的颗粒，再一粒一粒地放入高温蒸发源中，使之一瞬间完全蒸发，这样可获得与镀膜材料相同的薄膜。 2）双蒸发源蒸发法：采用两个蒸发源，分别蒸发两个组成，并分别控制它们的蒸发速率，即可得到所需成分的合金。 2、化合物膜的镀制 化合物膜通常是指金属元素与氧、碳、氮、硼、硫等非金属的化合物所构成的膜层。 1）直接蒸镀法：主要适于那些蒸发时组成不发生变化的化合物。 2）反应蒸镀法：是在充满活性气体的条件下蒸发固体材料，使之在基片上进行反应获得化合物薄膜的方法。 8.2.4 真空蒸镀工艺 一般，非连续蒸镀的工艺流程为：镀前准备→抽真空→离子轰击→烘烤→预热→蒸发→取件→镀后处理→检测→成品。 1.镀前准备 包括工件清洗、蒸发源制作和清洗、真空室和工件架清洗、安装蒸发源、膜料清洗和放置、装工件等。 2.基片和膜料预处理