第五章 离子溅射镀膜法.pptVIP

第五章、 离子溅射镀膜 第一节 溅射的定义 用带有几百电子伏特以上动能的粒子或粒子束轰击固体表面，使靠近固体表面的原子获得入射粒子所带能量的一部分而脱离固体进入到真空中，这种现象称为溅射。 溅射原子的联级碰撞示意图 溅射率的计算式 (1)离子能量E 1keV，在垂直入射时的溅射率： 式中: U0为是靶材元素的势垒高度，也是靶材元素的升华能； a(M2/M1)只与M2/M1相关的常数。 Eth是原子从晶格点阵被碰离产生级联碰撞所必须的能量阈值， Sn(E)是弹性碰撞截面: Sn(E)=4?Z1Z2e2?12[M1/(M1+M2)] Sn(?) Z1为轰击离子的原子序数； Z2为靶材的原子序数； ?12称汤姆逊—费米屏蔽半径(可据Z1Z2等参数计算得到)； ? 是一个无量纲参数，称为折合能量； Sn(?)称为核阻止截面。 ?与Sn(?)的关系可查表得到。 溅射率的计算式 (2)离子能量E＜1keV，在垂直入射时，溅射率的表达式为： S=(3/4?2)?Tm/V0 ……(3-3) 式中：Tm=4M1M2E/(M1+M2)2, 最大传递能量； M1和M2分别是靶原子和入射离子的质量。 V0是靶材元素的势垒高度，也是靶材元素的升华能； ?是与M2／M1有关的量，对于不同的质量比，其值在0-1.5之间。 影响溅射率的因素 溅射率是描述溅射特性的一个最重要物理参量。 它表示正离子轰击靶阴极时，平均每个正离子能从阴极上打出的原子数。又称溅射产额或溅射系数，常用S表示。 溅射率与入射离子的种类、能量、入射角度及靶材的类型、晶格结构、表面状态、升华热大小等因素有关，单晶靶材还与表面取向有关。 (1)影响溅射率的因素—靶材料 溅射率与靶材料种类的关系可用靶材料元素在周期表中的位置来说明。在相同条件下，用同一种离子对不同元素的靶材料轰击，得到不相同的溅射率，并且还发现溅射率呈周期性变化，其一般规律是：溅射率随靶材元素原子序数增加而增大（同一周期）。 溅射率与靶材元素原子序数的关系曲线 （2）影响溅射率的因素—入射离子能量 入射离子能量大小对溅射率影响显著。当入射离子能量高于某一个临界值(溅射阈值)时，才发生溅射。 图3-5为溅射率S与入射离子能量E之间的典型关系曲线。曲线可分为三个区域： S正比于E2 : ETE500 eV (ET为溅射阈值) S正比于E : 500 eV E1000 eV S正比于E1/2 : 1000 eV E5000 eV 溅射率S与入射离子能量E之间的典型关系曲线 用Ar离子轰击铜时， 离子能量E与溅射率S的典型关系 曲线可分成三部分： Ⅰ.没有或几乎没有溅射的低能区域； Ⅱ.E=70～10keV，这是溅射率随离子能量增大而增大的区域，用于溅射淀积薄膜； Ⅲ.E＞30keV，溅射率随离子能量的增加而下降。 图3-6中能量范围扩大到100keV，这一曲线可分成三部分： 第一部分是没有或几乎没有溅射的低能区域；第二部分的能量从70eV增至10keV，这是溅射率随离子能量增大而增大的区域，用于溅射淀积薄膜的能量值大部分在这一范围内；第三部分是30keV以上，这时溅射率随离子能量的增加而下降。 如前所述，这种下降据认为是由于轰击离子此时深入到晶格内部，将大部分能量损失在靶材体内，而不是消耗在靶表面的缘故。轰击离子愈重，出现这种下降时的能量值就愈高。 (3)影响溅射率的因素—入射离子种类 溅射率与入射离子种类的关系： 1)依赖于入射离子的原子量，入射离子的原子量越大，则溅射率越高； 2)与入射离子的原子序数有关，呈现出随离子的原子序数周期性变化的关系。这和溅射率与靶材料的原子序之间存在的关系相类似。 3)在周期表每一横排中，凡电子壳层填满的元素作为入射离子时，就有最大的溅射率。因此，惰性气体的溅射率最高。 一般情况下，入射离子多采用惰性气体，同