第四章：离子注入.pptVIP

阈值电压调整注入 NMOS阈值电压公式： QBm＝q·NB·Xdm， QBm为表面耗尽层单位面积上的电荷密度 轻掺杂漏（LDD：Lightly Doped Drain ）注入 源漏注入 多晶硅栅掺杂注入 沟槽电容器注入 超浅结注入 超浅结 绝缘体上的硅（SOI）中的氧注入 在硅中进行高能量氧离子注入，经高温处理后形成SOI结构（silicon on insulator） SOI结构SEM照片 4.5 离子注入设备 离子注入机主要由以下5个部分组成 1. 离子源 2. 引出电极（吸极）和离子分析器 3. 加速管 4. 扫描系统 5. 工艺室 离子注入系统 1. 离子源 离子源用于产生 大量的注入正离 子的部件，常用 的杂质源气体有 BF3、 AsH3 和 PH3 等。 离子源 2. 引出电极（吸极）和离子分析器 吸极用于把离子从离子源室中引出。 质量分析器磁铁 分析器磁铁形成90°角，其磁场使离子的轨迹偏转成弧形。不同的离子具有不同的质量与电荷（如BF3→ B＋、BF2＋等），因而在离子分析器磁场中偏转的角度不同，由此可分离出所需的杂质离子。 分析磁体 3. 加速管 加速管用来加速正离子以获得更高的速度（即动能）。 加速管 4. 扫描系统 用于使离子束沿 x、y 方向在一定面积内进行扫描。 束斑 中束流的束斑：1cm2 大束流的束斑：3cm2 扫描方式 固定硅片、移动束斑（中、小束流） 固定束斑、移动硅片（大束流） 扫描种类：静电扫描、机械扫描、混合扫描、平行扫描 静电扫描系统 静电扫描系统 5. 工艺腔 工艺腔包括扫描系统、具有真空锁的装卸硅片的终端台、硅片传输系统和计算机控制系统。 硅片冷却：硅片温升控制在50℃以下，气冷和橡胶冷却。 剂量控制：法拉第环电流测量 本章作业 1. 请简要描述离子注入 2. 列举离子注入优于扩散的6点 3. 在P型〈100〉衬底硅片上，进行As离子注入，形成P-N结二极管。已知衬底掺杂浓度为1×1016cm-3，注入能量：100KEV，注入剂量：5.0E15，试计算砷离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入结深。 第四章：离子注入 掺杂技术之二 为什么开发离子注入技术？ 随着器件特征尺寸的减小，出现的一些特殊的掺杂（如小剂量浅结掺杂、深浓度峰分布掺杂等）扩散是无法实现的，而离子注入却能胜任。 离子注入是继扩散之后发展起来的第二种掺杂技术 离子注入成为现代集成电路制造的主流工艺 4.1 引 言 4.1 引 言 离子注入的概念： 在高真空的复杂系统中，产生电离杂质并形成高能量的离子束，入射到硅片靶中进行掺杂的过程。 束流、束斑 离子注入的优点： 1. 精确地控制掺杂浓度和掺杂深度 离子注入层的深度依赖于离子能量、杂质浓度依 赖于离子剂量，可以独立地调整能量和剂量，精 确地控制掺杂层的深度和浓度，工艺自由度大。 2. 可以获得任意的杂质浓度分布 由于离子注入的浓度峰在体内，所以基于第1点 采用多次叠加注入，可以获得任意形状的杂质分 布，增大了设计的灵活性。 离子注入的优点： 3. 杂质浓度均匀性、重复性好 用扫描的方法控制杂质浓度的均匀性，在1010～ 1017ions/cm2的范围内，均匀性达到±2％而扩散在 ± 10％，1013ions/cm2以下的小剂量，扩散无法实 现。 4. 掺杂温度低 注入可在125℃以下的温度进行，允许使用不同 的注入阻挡层（如光刻胶）增加了工艺的灵活性 离子注入的优点： 5. 沾污少 质量分离技术产生没有沾污的纯离子束， 减少了由于杂质源纯度低带来的沾污，另外低温工艺也减少了掺杂沾污。 6. 无固溶度极限 注入杂质浓度不受硅片固溶度限制 离子注入的缺点： 1. 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤 2. 注入设备复杂昂贵 4.2 离子注入工艺原理 离子注入参数 注入剂量φ 注入剂量φ是样品表面单位面积注入的离子总数。单位：离子数/cm2 I — 束流，单位：库仑/秒（安培） t — 注入时间，单位：秒