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第2页，共 19页 4.5 PVD技术（二）二极溅射镀膜 设计思想：利用真空技术、等离子体技术及物理中“溅射”原理，制作“靶”代替蒸发源实现镀膜。 缺点：1.膜与基体结合力较差 2.沉积速率较低；3.合金膜难沉积 原因：蒸发出粒子本身能量不高；蒸汽压不同 思考：使粒子脱离基体方法并非仅蒸发；如果其他方法获得脱离基体高能粒子，解决上述问题 第2页，共 19页 1）利用靶代替蒸发源 2）靶放在阴极； 溅射现象解释 碰撞达表面时，表面原子动能超过表面结合能,这些原子会脱离表面进入真空中。被溅射出原子大部分是阴极表面1-2层原子. 高能离子轰击阴极；能量传给阴极原子。阴极原子动能超势垒，形成离位原子，进一步与其他原子反复碰撞。 点阵原子间作用力称为“势垒”约5-10eV。 第2页，共 19页 二极溅射技术的核心 靶 与PCVD装置近似；气体放电装置，利用靶代替PCVD中通入的气体；设备简化了；PCVD设备完全可用于二级溅射；工件阳极 第2页，共 19页 二极溅射技术工艺过程 1.抽真空到1.0--10Pa,通入氩气.达到一定的气压.（通氮气可否？） 2.加高电压--1-3千伏; 氩离子在电场作用下高速向靶运动 3.轰击靶将表面的粒子溅射出来,沉积到工件上,形成薄膜.(镜片) 第2页，共 19页 二极溅射与蒸发镀比较 1.二级溅射用靶代替蒸发源 2.二级溅射沉积原子能量高，膜与基体结合力强； 3.二级溅射真空度要求低靶不需加热高温；简化装置 第2页，共 19页 缺点1:离化率低;沉积速度慢(10nm/min)； 问题:基片温度是否会上升? 二极溅射与与PCVD比较 1.将化学反应设计转换为靶的制造技术，实现无污染 2.沉积温度进一步降低；溅射镀膜成为主流镀膜技术 第2页，共 19页 等离子体产生必有大量二次电子 如何解决？ 二极溅射与与PCVD比较 缺点2：二次电子轰击基片温度还会升高，对于高分子基片不能沉积 问题：二次电子如何运动？ 二次电子向阳极基片运动；轰击基片 第2页，共 19页 基本思路：在二极溅射的阴极靶上加磁场 实 现: 高速沉积、基片低温低损伤 B (三)磁控溅射镀膜技术 1974年第1篇论文；目前电子信息产业主要沉积技术；同时解决沉积速率低与基片温度升高问题。 如何解决？利用基础理论 第2页，共 19页 运动轨迹直线；（黑板） 1/2mV2=eU V=5.93×107（U）1/2 cm/S a)电子V与B方向平行 洛伦兹力为零，电子仍然以V速度进行匀速运动，运动轨迹不受磁场影响 fm=q(V×B ） ∣fm∣=qvBsinθ 电子在电场、磁场中运动 1）电子在平行电场中运动 2）电子在均匀磁场中运动 受到何种力？ 阳极（+） 阴极（-） 第2页，共 19页 b)电子V与B方向垂直 fm= q (V×B ） ∣fm∣=q v B sinθ 电子速度V在磁场中运动 2）洛伦兹力不改变速度值，仅改变方向，起到向心力作用 1）直线运动变为回转运动;园平面与B垂直 3）回转园半径 rm=mV/qB 阳极（+） 阴极（-） 第2页，共 19页 运动轨迹分析： 1）X方向直线运动（E） 计算回转半径 rm= 3.8×10-5m 电子在电磁场中运动：E垂直B 2）垂直B（Z）做园周运动；显然Y方向就有运动速度；Y方向漂移 直线与圆周运动合成 将园拉成曲线；电子xoy平面圆周运动，同时y（EXB方向）方向漂移运动成为“摆线”运动轨迹； 第2页，共 19页 磁控溅射镀膜原理 1）电磁场作用电子运动轨迹如右图 2）回转半径很小，构成 “跑道” 3）二次电子被封闭在跑道内，沿跑道以“摆线方式”运动，即在靠近靶的等离子体中“跑步”。 第2页，共 19页 磁控溅射镀膜原理 2）二次电子封闭在靶附近固定区域（跑道内）不能直接轰击基片；基片的损伤小（实现冷态沉积）。 二级溅射两大缺点： 1.离化率低沉积速率慢 2.二次电子轰击基片，温度升高（高分子材料难于沉积） 磁控溅射：1）二次电子在靶附近等离子体中固定“跑道”中的运动，路程足够长与气体原子碰撞，使气体原子电离几率大增，离子轰击靶溅射产额提高，沉积速率大幅度提高。 第2页，共 19页 1.抽真空达到度 0.06-0.13Pa 2.通入