CdSe%2fCu2O异质结的制备及光电性能的分析.pdf

Preparation of CdSe/Cu O and Study Regarding 2 Photoelectric Performance Major ：Chemical Technology Direction of Study：Preparation and performance of nanometer Graduate Student： Danyu Wang Supervisor ： Prof. Fuxin Zhong College of Chemistry and Biological Engineering Guilin University of Technology September,2011 to May,2014 万方数据 √ 万方数据 摘要 半导体材料因具有特殊的光电性能引起了科学界的广泛关注。但单一半导 体材料经光照后产生的载流子复合率较高，而异质结复合材料可以有效的降低载 流子的复合效率，因此近年来对异质结的研究较为普遍。CdSe 是一种很好的光 电压材料，Cu O 具有稳定的物理和化学性能，因此本文利用电化学沉积法制备 2 Cu O 半导体材料，用电化学法、化学浴沉积法、水相法及水热法制备CdSe，并 2 采用两次电化学沉积法制备CdSe/Cu O 异质结，并用 SEM 和XRD 对各样品的 2 形貌和结构进行表征，并对不同条件下产生的光电压进行讨论。获得如下具体结 果： 1. 采用电化学法，以硫酸铜-乳酸体系为电解液，反应条件对 Cu O 晶型的 2 影响为：十六烷基三甲基溴化铵 （CTAB ）可以起到抑制晶体(200)面择优生长而 促进(111)面择优生长的作用；随着CuSO4 浓度从0.2mol/L 增大到0.6mol/L 时， Cu O 晶型由锥形向方形过渡；当溶液pH 分别为8、10、12 时，Cu O 晶型由缺 2 2 角立方晶型经过立方晶型向棱锥形转变；当沉积电压为 1.6V、1.8V、2.0V 时， 生长速度较慢的晶面由(110)面转变为(111)面最后到(100)面；随着溶液温度由 30 ℃提高到70 ℃，晶体尺寸约由200nm （30 ℃）、1000nm（60 ℃）到600nm （70 ℃）， 呈先增后减的趋势；添加NaCl 能抑制Cu O(111) 晶面的生长而促进(200)面的生 2 长，加入NaCl 的量从0.003mol/L 增加到2.000mol/L 时，Cu O 晶型由锥形向花 2 型转变。当电解液pH=12 ，沉积电压为2.0V ，水浴温度为60 ℃，沉积时间为30min 时，Cu O 为三棱锥型，其光电压最高，为 0.047V 。混晶型和三棱锥型的 Cu O 2