CIS薄膜的生长机理的分析.pdf

摘要 多晶CuInSe2(简称CIS)材料，在薄膜太阳电池中具有重要的应用。 CIS褪瓣熬特’眭对电漉夔滢糍畜至关j鏊要夔影旗，焉CIS材褥瓣性施与它 的生长机理密切相关。本论文尝试利用一个精心设计的多层膜 eu，王∥se妃u疆∥s彰c娃娃彩se系统，来模毅溅麓殛纯法制备瓣CIS赘影液过 程，利用DSC和XRD等测试手段，对物相的演变过程进行跟踪，并研究 了影响CIS薄貘生长浆主要戮素。 研究发现， (I)CIS的生长过程可分为三个阶段：第一个阶段就是 麸室滋努淦至so熔化麓，逮令瓣段楚壹孳囊耪程囊二元据演纯弱阶段； 第二个阶段是从Se熔化后非稳定的三元相形成到CuInSe2的形成：第三 令除羧是CulnSe2瓣繇粒长大除段。 (2)溅瓣疆{乏法镯冬豹CIS锪鞠形 成的连接线是CuSe—InSe。(3)In的损失与生长过禚密切相关，In的绝 大帮分损失在157℃至400。C之囊，迄就是在ln熔纯黉CuInSe2形残之 间。 (4)用多层膜模拟系统得到的结论与溅射硒化法制备CIS薄膜的结 莱是一致豹。 关键词；CIS；多层膜；生长机理；物相；相变 Abstract films arethemost CulnSeffCIS)thin Polycrystalline compounds materials for The promising widelyinvestigatedphotovoltaicapplication tothe characterizationsofCISthinfilmshavecrucialaffects of performances solarcellsAndthe thinfilmsare characterizationsofCIS relatedto closely thethinfilms or mechanismInthe growthprocessgrowth dissertation，a tosimulatetheCIS multilayer,Cu／In／Se／Cufln／Se／Cu／In／Se，wasdesigned thatisfabricated growthprocess alloyprecursor bysputtering selenized．Using theDSCand transitionswerestudiedAnd main XRD，the also，the phases factorsthataffectthe were growthprocessinvestigated conclusions are Theresearch theCIS