《两类纳米级非线性忆阻器模型及串并联研究-论文》.pdfVIP

物理学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．12(2014) 128502 两类纳米级非线性忆阻器模型及串并联研究冰 董哲康 ) 段书凯 )t 胡小方2) 王丽丹 ) 1)(西南大学电子信息工程学院，重庆 400715) 2)(香港城市大学机械与生物医学工程系，香港) (2014年 1月4日收到；2014年3月6日收到修改稿) 忆阻器是一种新型的非线性动态可变电阻器，其阻值的变化依赖于通过它的电荷量或磁通量．作为第四 种基本电路元器件，忆阻器在非易失性存储器、非线性电路及系统、神经形态系统等领域中有巨大的应用潜能． 忆阻器串并联组合电路具有比单个忆阻器更为丰富的器件特性，引起了研究者越来越多的关注．本文推导了 带有窗函数的闭合形式的电荷及磁通量控制的忆阻器非线性模型，能够有效地模拟忆阻器边缘附近的非线性 离子迁移现象，同时保证忆阻器的边界条件．进一步，分别从忆阻器的器件参数和激励阈值两个角度，对忆阻 器串并联 电路进行了全面的理论推导和数值分析．为了更加直观地观察忆阻器串并联特性，