《245GHz+CMOS工艺低噪声放大器的设计》.pdf

中文摘要 中文摘要 本论文采用CMOS工艺实现了无线接收机射频前端的关键模块一低噪声放大 器(切A).首先，NLA是一个典型的无线接收机的第一级，因此其噪声系数直接决 定了接收机的整体噪声系数。而且，LNA必须提供一定的功率增益以抑制接收机 后级电路对整体噪声的贡献。其次，对于高集成度的Soc而言，在保证相关性能的 情况下，必须尽可能地降低INA的功耗。同时，为了使在有大信号输入的情况下， LNA引起的失真尽可能小，因此要求LNA应具有足够高的线性度。此外，LNA还 必须对于输入源表现一个特定的且常常为05Q的输入阻抗以利于匹配。上述的这 些1N‘A基本性能参数之间是紧密联系的，为了满足整体性能的要求，通常需要对 这些参数进行折衷考虑和整体优化处理，这也是LNA设计的主要难点. 本论文是基于科研项目一2.45GHZ接收机芯片设计，作者负责射频前端模块低 噪声放大器的设计。在Cadnecccl.sOCAD软件下，依据RFIC设计理论和所提供 的JAZzo.3和mcMoS工艺库模型，设计了一款工作在2.45GHz的全集成低噪声放 大器，并进行了带ESD电路保护的版图设计，在对电路进行多参数优化分析设计 的基础上，各项指标接近在该设计条件下的国际先进水平。此外，作者在TsMC提 供的0.3和mcM0s和Bipolra两种工艺条件下实现的LNA性能进行了对比分析， 得出了一系列结论。基于工程开发的需要，本文讨论了低噪声放大器的设计、仿 真及相关测试内容。论文主要内容: 1.针对项目的应用背景一2.45GHz无线局域网，分析对比各种系统结构的优缺 点，并最终采用超外差式结构的结构完成5oC设计。 2.射频集成电路基本参数、元器件的工艺和模型分析，重点是对整个电路设 计至关重要晶体管的物理特性进行了分析。 3.在对2.45GHZ低噪声放大器四种拓扑结构整体性能分析的基础上，采用具有 高隔离度的c韶codc结构构建了电路架构，在对acocsde结构噪声模型分析的基础上， 对电路噪声进行了整体优化，最终完成了基于CMOS工艺的全集成24.SGHZ低噪声 放大器芯片的设计，并对其进行了温度和工艺偏差分析，提出了测试方案。此外， 对cM0s和Biporal工艺下设计完成的相同结构的LNA进行了性能对比分析。 关键词: CMOS，射频集成电路，接收芯片，低噪声放大器 Ab sU.Ct AbstraCt Tblshtesis邝all刀治山eLNAbasednoCMOStcehno1oyg，whihcsihte keyb1okcni recevire’s丘oni-ned.Firts】另LNAsihte方rtss.唱eniantii喇侧化】ess~ 扮七乙escond】% LNAmUStP印vl业bignoeUhgpowregainnio川erotdePresshte画sefi即比斤。功b朗k 5切名es.Thirdiy，asothte hihgnilergatde osC，LNAshouldhaveofwre po，茂沈 印川四ption-FoUrt扮乳whenbigaingalcomes，LNAshouldca理犯msalldistortlon， whihcrn已赶‘LNAshouldhvaehihgenOuhgl1neraiyt.F1na1yl，LNAmust1ook051Pnut resi劝劝cesniothte niPutosUc『七.115111力po比汕totrtadeoff hteesP田冠melers朋d 叩行功iZe此即份eperof丽助c七.肠at啥alossihtekyepo恤othteNLAdesing. T苗shtessisibasednohte Projec--tes比Ceveirhc币no2.45GH乙hte 即htorwas responsblierof 阮LNAblock.Aofllyin抚歹砌dnraoz w七助dLNAat2.45GF匕rof 肠飞ANPaPIicatinowas implmeentdeniJAZZ035阿tCehnoloygwithCadenceIC50 desingkits.Tbelayuot ofLNAwihtESD.Pro吸Cetdesiaios山singde.T五e此