Er2O3高k栅介质材料的分子束外延生长、结构及物理特性.pdfVIP

摘要 Er203高k栅介质材料的 分子束外延生长、结构及其物理特性 物堡堂系邀鐾查物理专业 学生姓名塞憝抱指导老师整量敛数援 摘要 微电子工业的发展，对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求，栅介质 层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引起的静态功率 损耗随之成指数形式增长，传统的Si02栅介质正日益趋于它的极限。各种各样 的高k材料被用来研究作为Si02栅介质的可能的替代物质，由于高k材料拥有 比较高的介电常数，使这些材料在保持同样高的电容量的同时还可以有相对于 Si02栅介质比较大的厚度，这样就降低了由直接隧穿引起的漏电流从而保持了器 件的性能。 MetalOxide 近年来，在CMOS(Completement 氧化物半导体)器件应用方面，为了寻找一种合适的栅介质材料替代Si02，很 是一种很有应用前景的栅介质，但以往的研究主要集中在多晶厚薄上，单晶薄膜 和它的