Si3N4陶瓷二次部分瞬间液相连接技术的研究.pdf

中文摘要 Si N 陶瓷二次部分瞬间液相连接技术研究 3 4 摘 要 本文在真空条件下 进行了 SiN/Ti/Cu/Ti/SiN的部分瞬间液相 3 4 3 4 (PTLP)连接和SiN/Ti/CuNi/Cu/Ti/SiN的二次PTLP连接试验 测定了 3 4 3 4 连接接头的室温四点弯曲强度 采用SEMEDS等微观分析手段分析了连 接界面区域的元素分布和界面结构 研究了中间层厚度 连接工艺参数等 对反应层厚度和接头室温强度的影响 采用Ti/Cu/Ti中间层对SiN陶瓷进行PTLP连接 得到了在本文试验 3 4 范围内 采用Ti箔厚度为10m Cu箔厚度为250m 在1050保温 3h的试验条件下所得SiN/Ti/Cu/Ti/SiN连接接头的室温四点弯曲强度 3 4 3 4 最高 为 209.5Mpa研究表明 Ti箔过薄