OLED像素驱动电路设计(参考模板).docVIP

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2016-01-05 发布于安徽
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OLED像素驱动电路设计(参考模板).doc

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OLED像素驱动电路设计(参考模板).doc

OLED像素驱动电路的设计及其性能测试实验日期：2012 05 28 实验者：张著东实验目的通过实验复习晶体管性能的测试；强化具体电路设计的能力；熟悉OLED像素驱动电路的结构与特点；提高综合分析问题的能力。实验内容两管TFT像素驱动电路的设计与制作按图1所提供的电路原理，设计出可以测试该驱动电路的实验装置。说明其设计的理由和测试的方法。两管TFT像素驱动电路性能的测试测量通过OLED的电流比较其性能，分析图1-（a）与图1-（b）的特性有何不同？输入特定脉宽的扫描信号和数据信号，分别测量通过两种接法的二极管电流；保持数据信号脉宽不变，改变扫描脉冲宽度，分别测量通过两种接法的二极管电流；保持扫描信号脉冲宽度不变，改变数据脉冲宽度，分别测量通过两种接法的二极管电流。实验步骤 3.1 准备好仪器：两个数字信号发生器，一个万用表和一个稳压电压源。 3.2 连接仪器与电路板的测量点 3.3 开始调试并测试数据分析 4.1 输入特定脉宽的扫描信号和数据信号，分别测量通过两种接法的二极管的电流。 4.1.1可设定和。 Vd/V 1 2 3 4 5 6 7 7.5 8 8.5 9 9.5 Ia/MA 3.15 3.14 3.12 3.08 3.02 2.98 2.95 2.95 2.94 2.94 2.93 2.93 Ib/MA 3.16 3.16 3.15 3.16 3.16 3.15 3.14 3.12 3.1 3.08 3.06 3.04 Vd/V 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 　 Ia/MA 2.91 2.91 2.91 2.9 2.89 2.89 2.89 2.88 2.88 2.87 2.87 　 Ib/MA 3.03 3 2.98 2.97 2.96 2.95 2.95 2.94 2.93 2.93 2.92 　分析结果：数据分析：由于在制作电路的时候，将MOS管的DS极接反了。所以不符合了MOS管的工作从截止区、放大区到饱和区的过程。因此，得出结论是，当MOS管DS接反时，漏源电流ID的变化时呈现从饱和区、放大区和截止区的过程。 4.1.2可设定和。 Vs/V 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Ia/MA 3.03 3.04 3.04 3.03 3.03 3.04 3.04 3.03 3.03 3.02 Ib/MA 3.13 3.08 3.1 3.12 3.14 3.13 3.1 3.12 3.13 3.14 Vs/V 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Ia/MA 3.02 3.02 3.03 3.04 3.04 3.03 3.03 3.03 3.03 3.03 Ib/MA 3.12 3.13 3.13 3.1 3.08 3.12 3.12 3.12 3.13 3.13 数据分析：数据分析：当改变扫描信号的时候，源级电路图1的LED灯电流变化的幅度较小，而恒定电流图2的LED灯电流变化幅度较大。 4.2 保持数据信号脉宽不变，改变扫描脉宽，分别测量通过两种接法的二极管的电流。 4.2.1 可和。 fs/Hz 1 10 100 200 300 400 500 600 700 800 900 Ia/MA 3.13 3.1 3.09 3.07 3.11 3.1 3.1 3.11 3.1 3.12 3.1 Ib/MA 3.14 3.14 3.12 3.12 3.08 3.04 3.13 3.13 3.12 3.12 3.12 fs/Hz 1K 2K 3K 4K 5K 6K 7K 8K 10K 50K 100K Ia/MA 3.11 3.11 3.12 3.12 3.1 3.1 3.07 3.05 3.07 3.06 2.98 Ib/MA 3.1 3.04 3.11 3.11 3.14 3.14 3.14 3.14 3.13 3.12 3.14 fs/Hz 　200K 300K 400K 500K 600K 700K 800K 900K 1000K 　　 Ia/MA 2.97 2.97 2.96 2.96 2.96 2.95 2.95 2.95 2.94 　　 Ib/MA 3.14 3.14 3.15 3.15 3.15 3.14 3.14 3.14 3.14 　　数据分析：当改变扫描信号的频率时，LED灯的电流变化不大，但图1和图2有所差异。图1的接法电流会小于图2的接法。 4.3保持扫描信号脉宽不变，改变数据脉宽，分别测量通过两种接法的二极管的电流。 4.3.1可取和。 fd/Hz 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 Ia/MA 2