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高效能低壓降線性穩壓器之分析與實作-亞東技術學院
亞 東 學 報 第 2 9 期
2009 年 6 月 頁 8 1 ~ 9 0
亞 東 技 術 學 院
高效能低壓降線性穩壓器之分析與實作
* ** *** *** ***
李民慶 王清松 陳漢儒 陳新泓 李霈穎
摘要 持很久,更因其效能之提升,近年來成為低功率穩
低壓降線性穩壓器(LDO) ,擁有低雜訊、體積 壓與智慧型電源管理積體電路之主流,本文首先針
小之特性,更因其效能之提升,近年來成為低功率 對 LDO 電路架構加以分析。
穩壓與電源管理積體電路之主流,本文針對組成一
高效能 LDO 之架構:精準參考電電源電路、功率 貳、低壓降線性穩壓器之架構原理
電晶體、誤差放大器以及回授電阻之設計加以分 一低壓降線性穩壓器之基本的架構,包含一精
析、最後利用 TSMC 0.35um CMOS 製程技術模 準參考電壓源、誤差放大器、輸出功率電晶體
擬、設計完成一晶片面積約 0.936 0.804mm 2 、 (PMOS)與回授電阻,如下圖 2.1 所示,
消耗功率低於 ,且輸入電壓可從 至
0.21mW 1.7V
Powermos
,線電壓調節率約 ,輸出電流可 Vin Vout
3.3V 0.43mV / V
從 至 ,負載調節率約 以下,
0mA 100mA 5mV / mA
R1
輸出電壓可穩定在 1.5V 之高效能 LDO 。此外整體
Error R2
LDO 閉迴路之頻率響應、穩定度與溫度係數等問 Amplifie
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