ZnO纳米结构物性第一原理地研究.pdfVIP

摘 要 进入2l世纪以来，对半导体纳米材料性能的研究一直都是人们关注的热点。 ZnO作为II—VI族氧化物半导体材料，因其宽的直接带隙(室温下3．37eV)和较 大的激子结合能(60meV)，良好的光电、压电、热电转换性能等，在电子和光电 子器件等领域有着巨大的应用前景。近些年来，ZnO纳米材料由于其结构多样性， 以及因尺寸大小而具有的不同于宏观块体材料的特殊性能，也受到了人们高度的 重视。此外，对石墨烯相关体系性质的研究近几年来也是纳米材料领域中的热点。 因此，本论文采用基于密度泛函理论的第一原理方法对低维ZnO纳米材料和双层 石墨烯体系的物理性质进行了系统的研究。 第一部分中，我们对低维ZnO纳米材料(包括零维团簇，一维纳米线、纳米 管，二维原子薄片等)的结构稳定性、磁性和电子性质，以及轴向加载对一维ZnO 纳米线、纳米管的结构和电子性质的影响进行了系统地研究。主要包括：(i)零维 团簇：我们对ZnO团簇的结构和磁性进行了研究，考虑了边界类型和尺寸大小的 影响。结果表明，所有以O原子为边界的单原子层团簇都可以表现出磁性。小尺 寸团簇表现出铁磁性，而较大尺寸的团簇则表现出亚铁磁性。对于多原子层的团 簇，奇数层的团簇也可以表现出铁磁性，但偶数层的团簇不会显示出磁性。(ii