讲义_19探测器_V2.pptVIP

Fig.17.20说明Franz-Keldysh效应的能带图。图中示出强反偏压作用下P+-n结（或肖特基势垒结）的n区的能带弯曲 Franz-Keldysh效应的物理基础可从图17.20所示简单的能带弯曲模型来理解 图中x表示离开结平面的距离。在远离结的区域没有电场，光子至少须具有带隙能量Eα-Eυ以产生电子跃迁，如图中的（a）。但在电场很强的耗尽区内，如图中（b）这种跃迁也能产生，这种光子的能量比带隙小，激发电子还达不到导带，接着电子以隧道穿透势垒进入导带。这样，导带边事实上就展宽进入带隙，以致产生有效带隙的变化ΔE，它由下式给出[34] (17.15) 式中，m*是载流子有效质量，q是电子电荷值，ε是电场强度。 Franz-Keldysh效应大大提高了探测器工作在吸收边附近波长的灵敏度。 电吸收探测器的最大优点是，只要增加反偏压就能起电切换作用，从低吸收状态到高吸收状态。这就可能用同一半导体材料制作波长兼容的发射器和探测器。利用这一原理的器件是发射器/探测器终端，如图17.21[36]所示。此器件有双重功能，加正偏压是光发射器，加高反偏压是光探测器。 Fig.17.21应用Franz-Keldysh效应的集成光发射器/探测器终端 制作与波导结构串联的器件能在光传输线中用作发送/接收开关。因为Franz-Keldysh效应引起α改变很大，其作用很有效。如用前面举过的例子，载流子浓度为3×1016 cm-3的n型GaAs制作的p+-n结二极管，加50 V反偏压，9000 ?波长的α从25 cm-1变化到104 cm-1。因此，加正偏压时，二极管向波导发射9000 ?波长的光；加反偏压Vα＝50 V，为使入射波长9000 ?的光被吸收99.9%，二极管长度仅需10-3 μm。 若二极管处于零偏压状态，α正好是25 cm-1。典型激光器长度为200 μm，插入损耗仅2 dB，这样的发射器/探测器组件在使用波导传输线的系统中非常有用，因为与分离的发射器和探测器所遇到的耦合问题相比，前者使耦合问题大大简化。 17.4限制集成光电探测器性能的因素 设计集成光电探测器，在各个方面有许多限制性能的机理。不是所有这些机理在每种应用中都重要，但设计者（或使用者）必须知道与不同器件类型和结构有关的限制作用。 17.4.1高频截止 在17.1节中曾讨论过限制高频响应的多种因素，它们与一些附加的频率限制效应一起总结在表17.1 中。由于图17.5所示类型的波导光电探测器面积小，因此最常限制常规二极管响应的RC时间常数可足够小，工作频率可达10 GHz以上，如17.1.2节中讨论的那样。这种情况下必须考虑其它可能的限制效应。 表17.1 限制耗尽层光电二极管高频响应的因素 由体电阻和结电容引起的RC时间常数 耗尽层外在载流子的扩散时间 载流子寿命和扩散长度 封装的电容和电感 载流子通过耗尽层的漂移时间 深能级中的载流子俘获 17.4.2 线性问题 线性工作区 饱和区 17.4.3 噪声 信号电流和暗电流产生的散粒噪声 负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声 背景噪声 由电路RC时间常数限制的截止频率 式中，Rt为光电二极管的串联电阻和负载电阻的总和，Cd为结电容Cj和管壳分布电容的总和。 式中，ε为材料介电常数，A为结面积，w为耗尽层宽度。 (3) 噪声。 光电二极管的噪声包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声(Shot Noise)和由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声。噪声通常用均方噪声电流(在1Ω负载上消耗的噪声功率)来描述。 均方散粒噪声电流 〈 i2sh〉=2e(IP+Id)B （3.22） 式中，e为电子电荷，B为放大器带宽，IP和Id分别为信号电流和暗电流。 式(3.21)第一项2eIPB称为量子噪声，是由于入射光子和所形成的电子 - 空穴对都具有离散性和随机性而产生的。只要有光信号输入就有量子噪声。这是一种不可克服的本征噪声， 它决定光接收机灵敏度的极限。 式(3.22)第二项2eIdB是暗电流产生的噪声。 暗电流是器件在反偏压条件下，没有入射光时产生的反向直流电流，它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流。暗电流与光电二极管的材料和结构有关，例如Si-PIN， Id1nA；Ge-PIN ， Id100nA。 均方热噪声电流 式中，k=1.38×10-23J/K为波尔兹曼常数，T为等效噪声温度，R为等效电阻，是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果。 因此，